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品牌:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
制造商:Vishay Siliconix
系列:-
包装:管件
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):90V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):725mW(Ta),6.25W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-39
封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
标准包装:100
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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