2N6661产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：90V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：860mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：725mW（Ta），6.25W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-39

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐

标准包装：100

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）