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2N6661产品参数
型号:2N6661
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.59
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH INPUT IMPEDANCE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):0.35 A
最大漏源导通电阻:4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pF
JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e4
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):6.25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Nickel/Gold (Ni/Au)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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