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| 型号: | 5962-8866207NA |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.55 |
| 最长访问时间： | 20 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.0205 mm |
| 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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