CY62256N
热阻
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125
寸， 4层印刷电路板
DIP
75.61
43.12
SOIC
76.56
36.07
TSOP
93.89
24.64
RTSOP
93.89
24.64
单位
° C / W
° C / W
图3. AC测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
R1 1800
R1 1800
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
3.0 V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
＆ LT ; 5纳秒
(a)
(b)
相当于：
该
蛇毒等效
639
产量
1.77 V
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
LL - 商业
LL - 自动-E
t
CDR[7]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
LL - 工业/汽车- A V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
民
2.0
–
–
–
0
t
RC
图4.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0 V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2 V
3.0 V
t
R
典型值
–
0.1
0.1
0.1
–
–
最大
–
5
10
10
–
–
单位
V
A
A
A
ns
ns
笔记
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.5 V.
9.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件
(T
A
= 25 ° C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
文件编号： 001-06511修订版* D
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
