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CY62256NLL-70PXC 参数 Datasheet PDF下载

CY62256NLL-70PXC图片预览
型号: CY62256NLL-70PXC
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内容描述: 256K ( 32K × 8 )静态RAM [256K (32K × 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 577 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62256N
开关波形
(续)
图6.读周期2号
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
阻抗
ICC
50%
ISB
图7.写周期第1号( WE
t
WC
地址
控制)
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
图8.写周期号2 (CE控制)
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
IN
t
HD
t
HA
t
SCE
笔记
17.我们是高读周期。
18.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
19.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写,要么信号
通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考终止写信号的上升沿。
20.数据I / O是,如果OE = V高阻
IH
.
21.如果CE变同时与WE高高时,输出保持在高阻抗状态。
22.在此期间, I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号: 001-06511修订版* D
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