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    GT50J325 参数 Datasheet PDF下载

    GT50J325图片预览
    型号： GT50J325
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT [TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管双极性晶体管栅
    文件页数/大小： 7 页 / 172 K
    品牌： TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第7页  
    GT50J325
    Switching time t
    on
    , t
    r
    , t
    d (on)
    – R
    G
    10
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    3 IC
    =
    50 A
    : Tc
    =
    25°C
    : Tc
    =
    125°C
    1
    (Note 1)
    ton
    10
    Switching time t
    on
    , t
    r
    , t
    d (on)
    – I
    C
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    RG
    =
    13
    W
    : Tc
    =
    25°C
    : Tc
    =
    125°C
    (Note 1)
    (ms)
    (ms)
    3
    t
    on
    , t
    r
    , t
    d (on)
    t
    on
    , t
    r
    , t
    d (on)
    Switching time
    1
    0.3
    0.3
    ton
    0.1
    td (on)
    0.03
    tr
    Switching time
    0.1
    td (on)
    0.03
    tr
    0.01
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    0.01
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    Gate resistance R
    G
    (9)
    Collector current
    I
    C
    (A)
    Switching time t
    off
    , t
    f
    , t
    d (off)
    – R
    G
    10
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    3 IC
    =
    50 A
    : Tc
    =
    25°C
    : Tc
    =
    125°C
    (Note 1)
    1
    toff
    0.3
    td (off)
    0.1
    tf
    10
    Switching time t
    off
    , t
    f
    , t
    d (off)
    – I
    C
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    3 RG
    =
    13
    W
    : Tc
    =
    25°C
    : Tc
    =
    125°C
    (Note 1)
    1
    toff
    0.3
    td (off)
    (ms)
    t
    off
    , t
    f
    , t
    d (off)
    Switching time
    Switching time
    t
    off
    , t
    f
    , t
    d (off)
    (ms)
    0.1
    tf
    0.03
    0.03
    0.01
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    0.01
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    Gate resistance R
    G
    (9)
    Collector current
    I
    C
    (A)
    Switching loss
    30
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    10 IC
    =
    50 A
    : Tc
    =
    25°C
    : Tc
    =
    125°C
    (Note 2)
    3
    Eon
    E
    on
    , E
    off
    – R
    G
    10
    Switching loss
    Common emitter
    VCC
    =
    300 V
    VGG
    =
    15 V
    RG
    =
    13
    W
    : Tc
    =
    25°C
    3
    : Tc
    =
    125°C
    (Note 2)
    E
    on
    , E
    off
    – I
    C
    (mJ)
    E
    on
    , E
    off
    E
    on
    , E
    off
    (mJ)
    Eon
    1
    Switching loss
    1
    Eoff
    Switching loss
    Eoff
    0.3
    0.3
    0.1
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    0.1
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    Gate resistance R
    G
    (
    W
    )
    Collector current
    I
    C
    (A)
    4

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