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| 型号: | BAS32L,115 |
| Brand Name： | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 |
| 制造商包装代码： | SOD80C |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 3.34 |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
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