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    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • BSC159N10LSF+G
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
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    • -
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    产品型号BSC159N10LSFG的Datasheet PDF文件预览

    BSC159N10LSF G  
    OptiMOS™2 Power-Transistor  
    Product Summary  
    Features  
    V DS  
    100  
    15.9  
    63  
    V
    • N-channel, logic level  
    R DS(on),max  
    I D  
    mΩ  
    A
    • Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)  
    • Low on-resistance R DS(on)  
    PG-TDSON-8  
    • 150 °C operating temperature  
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free  
    • Qualified according to JEDEC1) for target application  
    • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
    • Halogen-free according to IEC61249-2-21  
    Type  
    Package  
    Marking  
    BSC159N10LSF G  
    PG-TDSON-8  
    159N10LS  
    Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
    Value  
    Parameter  
    Symbol Conditions  
    Unit  
    I D  
    T C=25 °C  
    Continuous drain current  
    63  
    40  
    A
    T C=100 °C  
    T A=25 °C,  
    R
    9.4  
    thJA=50 K/W2)  
    Pulsed drain current3)  
    I D,pulse  
    E AS  
    T C=25 °C  
    252  
    155  
    I D=50 A, R GS=25 Ω  
    Avalanche energy, single pulse  
    Gate source voltage  
    mJ  
    V
    V GS  
    ±20  
    P tot  
    T C=25 °C  
    Power dissipation  
    114  
    W
    °C  
    T j, T stg  
    Operating and storage temperature  
    IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
    -55 ... 150  
    55/150/56  
    Rev. 2.09  
    page 1  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    Values  
    Parameter  
    Symbol Conditions  
    Unit  
    min.  
    typ.  
    max.  
    Thermal characteristics  
    R thJC  
    Thermal resistance, junction - case  
    bottom  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.1  
    18  
    62  
    50  
    K/W  
    top  
    R thJA  
    minimal footprint  
    6 cm2 cooling area2)  
    Thermal resistance,  
    junction - ambient  
    Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
    Static characteristics  
    V (BR)DSS  
    V GS(th)  
    V
    V
    GS=0 V, I D=1 mA  
    DS=V GS, I D=72 µA  
    Drain-source breakdown voltage  
    Gate threshold voltage  
    100  
    1.2  
    -
    -
    V
    1.85  
    2.4  
    V
    DS=100 V, V GS=0 V,  
    I DSS  
    Zero gate voltage drain current  
    -
    -
    0.01  
    10  
    1
    µA  
    T j=25 °C  
    V
    DS=100 V, V GS=0 V,  
    100  
    T j=125 °C  
    I GSS  
    V
    V
    V
    GS=20 V, V DS=0 V  
    GS=4.5 V, I D=25 A  
    GS=10 V, I D=50 A  
    Gate-source leakage current  
    -
    -
    -
    -
    1
    100 nA  
    R DS(on)  
    Drain-source on-state resistance  
    17.2  
    12.2  
    1
    21.5  
    15.9  
    -
    mΩ  
    R G  
    g fs  
    Gate resistance  
    Ω
    |V DS|>2|I D|R DS(on)max  
    I D=50 A  
    ,
    Transconductance  
    30  
    59  
    -
    S
    1)J-STD20 and JESD22  
    2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
    connection. PCB is vertical in still air.  
    2
    3) see figure 3  
    Rev. 2.09  
    page 2  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    Values  
    Parameter  
    Symbol Conditions  
    Unit  
    min.  
    typ.  
    max.  
    Dynamic characteristics  
    Input capacitance  
    Output capacitance  
    Reverse transfer capacitance  
    Turn-on delay time  
    Rise time  
    C iss  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1900  
    470  
    11  
    2500 pF  
    V
    GS=0 V, V DS=50 V,  
    C oss  
    C rss  
    t d(on)  
    t r  
    630  
    -
    f =1 MHz  
    13  
    -
    -
    -
    -
    ns  
    24  
    V
    DD=50 V, V GS=10 V,  
    I D=25 A, R G=1.6 Ω  
    t d(off)  
    t f  
    Turn-off delay time  
    Fall time  
    28  
    6
    Gate Charge Characteristics4)  
    Gate to source charge  
    Gate to drain charge  
    Switching charge  
    Q gs  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7
    4
    -
    -
    nC  
    Q gd  
    V
    V
    DD=50 V, I D=25 A,  
    Q sw  
    Q g  
    8
    -
    GS=0 to 10 V  
    Gate charge total  
    26  
    3.7  
    45  
    35  
    -
    V plateau  
    Q oss  
    Gate plateau voltage  
    Output charge  
    V
    V
    DD=50 V, V GS=0 V  
    60  
    nC  
    Reverse Diode  
    I S  
    Diode continous forward current  
    Diode pulse current  
    -
    -
    -
    -
    63  
    A
    T C=25 °C  
    I S,pulse  
    252  
    V
    GS=0 V, I F=50 A,  
    V SD  
    Diode forward voltage  
    -
    0.9  
    1.2  
    V
    T j=25 °C  
    t rr  
    Reverse recovery time  
    -
    -
    85  
    -
    -
    ns  
    V R=50 V, I F=25 A,  
    di F/dt =100 A/µs  
    Q rr  
    Reverse recovery charge  
    228  
    nC  
    4) See figure 16 for gate charge parameter definition  
    Rev. 2.09  
    page 3  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    1 Power dissipation  
    2 Drain current  
    P
    tot=f(T C)  
    I D=f(T C); V GS≥10 V  
    120  
    100  
    80  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    60  
    40  
    20  
    0
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    T
    C [°C]  
    T
    C [°C]  
    3 Safe operating area  
    I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0  
    parameter: t p  
    4 Max. transient thermal impedance  
    thJC=f(t p)  
    Z
    parameter: D =t p/T  
    103  
    102  
    101  
    100  
    10-1  
    101  
    1 µs  
    10 µs  
    100  
    100 µs  
    0.5  
    1 ms  
    0.2  
    0.1  
    10 ms  
    0.05  
    10-1  
    DC  
    0.02  
    0.01  
    single pulse  
    10-2  
    10-1  
    100  
    101  
    102  
    103  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    V
    DS [V]  
    t
    p [s]  
    Rev. 2.09  
    page 4  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    5 Typ. output characteristics  
    I D=f(V DS); T j=25 °C  
    6 Typ. drain-source on resistance  
    DS(on)=f(I D); T j=25 °C  
    R
    parameter: V GS  
    parameter: V GS  
    200  
    30  
    7.5 V  
    3.5 V  
    10 V  
    25  
    4 V  
    160  
    4.5 V  
    6 V  
    20  
    15  
    10  
    5
    120  
    6 V  
    7.5 V  
    80  
    10 V  
    4.5 V  
    40  
    4 V  
    3.5 V  
    3.2 V  
    0
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    V
    DS [V]  
    I
    D [A]  
    7 Typ. transfer characteristics  
    I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max  
    parameter: T j  
    8 Typ. forward transconductance  
    g fs=f(I D); T j=25 °C  
    160  
    120  
    80  
    100  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    40  
    150 °C  
    25 °C  
    0
    0
    2
    4
    6
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    V
    GS [V]  
    ID [A]  
    Rev. 2.09  
    page 5  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    9 Drain-source on-state resistance  
    10 Typ. gate threshold voltage  
    GS(th)=f(T j); V GS=V DS  
    R
    DS(on)=f(T j); I D=25 A; V GS=10 V  
    V
    parameter: I D  
    30  
    25  
    3
    2.5  
    2
    20  
    720 µA  
    98%  
    72 µA  
    15  
    1.5  
    1
    typ  
    10  
    5
    0.5  
    0
    0
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    140  
    180  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    T j [°C]  
    100  
    140  
    180  
    T j [°C]  
    11 Typ. capacitances  
    12 Forward characteristics of reverse diode  
    I F=f(V SD  
    C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz  
    )
    parameter: T j  
    104  
    1000  
    Ciss  
    103  
    102  
    101  
    100  
    Coss  
    100  
    10  
    150 °C, 98%  
    25 °C  
    150 °C  
    Crss  
    25 °C, 98%  
    1
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    V
    DS [V]  
    V
    SD [V]  
    Rev. 2.09  
    page 6  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    13 Avalanche characteristics  
    AS=f(t AV); R GS=25 Ω  
    14 Typ. gate charge  
    GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed  
    V
    I
    parameter: T j(start)  
    parameter: V DD  
    100  
    10  
    8
    6
    4
    2
    25 °C  
    80 V  
    100 °C  
    50 V  
    125 °C  
    10  
    20 V  
    1
    1
    0
    0
    10  
    100  
    1000  
    10  
    20  
    30  
    t
    AV [µs]  
    Q
    gate [nC]  
    15 Drain-source breakdown voltage  
    16 Gate charge waveforms  
    V
    BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA  
    110  
    V GS  
    Q g  
    105  
    100  
    95  
    V gs(th)  
    Q g(th)  
    Q sw  
    Q gd  
    Q gate  
    Q gs  
    90  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    140  
    180  
    T j [°C]  
    Rev. 2.09  
    page 7  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    Package Outline: PG-TDSON-8  
    Rev. 2.09  
    page 8  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    Dimensions in mm  
    Rev. 2.09  
    page 9  
    2009-11-04  
    BSC159N10LSF G  
    Published by  
    Infineon Technologies AG  
    81726 Munich, Germany  
    © 2009 Infineon Technologies AG  
    All Rights Reserved.  
    Legal Disclaimer  
    The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of  
    conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical  
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    Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind,  
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    of any third party.  
    Information  
    For further information on technology, delivery terms and conditions and prices, please  
    contact the nearest Infineon Technologies Office (www.infineon.com).  
    Warnings  
    Due to technical requirements, components may contain dangerous substances. For information  
    on the types in question, please contact the nearest Infineon Technologies Office.  
    Infineon Technologies components may be used in life-support devices or systems only with  
    the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can  
    reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system or to affect  
    the safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are  
    intended to be implanted in the human body or to support and/or maintain and sustain  
    and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user  
    or other persons may be endangered.  
    Rev. 2.09  
    page 10  
    2009-11-04  
    配单直通车
    BSC159N10LSFG产品参数
    型号:BSC159N10LSFG
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Not Recommended
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
    针数：8
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.19
    其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    雪崩能效等级（Eas）：155 mJ
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：100 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：63 A
    最大漏极电流 (ID)：9.4 A
    最大漏源导通电阻：0.0159 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-F5
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：5
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：114 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：252 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：FLAT
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
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    • 批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。

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