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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 绝对原装现货特价
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家ST/意法 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量5784 
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  • 封装TO-220 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量10000 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ST 
  • 封装TO-220 
  • 批号23+ 
  • 代理全新原装现货,价格优势
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家欧美编号 374 
  • 封装贴/插片 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量8290 
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量6969 
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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 数量2015 
  • 厂家ST 
  • 封装SOP/DIP 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量9328 
  • 厂家ST-意法半导体 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥9一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家STM 
  • 封装TO-220AB 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657

产品型号BUL38D的概述

芯片BUL38D的概述 BUL38D是一种广泛应用于模拟电子设备中的功率晶体管,特别设计用于高电流和高电压的环境。该芯片的基本功能是在开关模式下提供大功率输出,通常被使用于电源转换器和电动机驱动电路。采用NPN型结构的BUL38D,能够以较低的输入信号控制较高的负载电流,提升了效率和稳定性。 芯片BUL38D的详细参数 BUL38D的主要技术参数可以归纳如下: - 类型: NPN功率晶体管 - 最大集电极-发射极电压 (Vce): 80V - 最大集电极电流 (Ic): 8A - 最大功耗 (Ptot): 40W - 直流增益 (hFE): 20-50(特定条件下) - 工作温度范围: -65°C 到 +150°C - 封装类型: TO-220 - 引脚配置: 1. 引脚1: 基极(B) 2. 引脚2: 集电极(C) 3. 引脚3: 发射极(E) 芯片BUL38D的厂家、...

产品型号BUL38D的Datasheet PDF文件预览

BUL38D  
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING  
NPN POWER TRANSISTOR  
STMicroelectronics PREFERRED  
SALESTYPE  
HIGH VOLTAGE CAPABILITY  
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS  
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR  
RELIABLEOPERATION  
LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS  
VERY HIGH SWITCHING SPEED  
FULLY CHARACTERISED AT 125oC  
HIGH RUGGEDNESS  
3
2
1
INTEGRATED ANTIPARALLEL  
COLLECTOR-EMITTER DIODE  
TO-220  
APPLICATIONS  
ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR  
HALOGEN LAMPS  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
The BUL38D is manufactured using high voltage  
Multi Epitaxial Planar technology for high  
switching speeds and high voltage withstand  
capability.  
The BUL series is designed for use in lighting  
applications and low cost switch-mode power  
supplies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
Value  
Unit  
800  
V
V
450  
9
V
5
V
ICM  
Collector Peak Current (tp <5 ms)  
Base Current  
10  
A
IB  
2
A
IBM  
Base Peak Current (tp <5 ms)  
4
80  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/6  
June 2000  
BUL38D  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-Case  
Rthj-amb Thermal Resistance Junction-Ambient  
Max  
Max  
1.56  
62.5  
oC/W  
oC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
VCE = 800 V  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICES  
Collector Cut-off  
Current (VBE = 0)  
100  
500  
µA  
µA  
VCE = 800 V  
Tj = 125 oC  
L = 25 mH  
ICEO  
Collector Cut-off  
Current (IB = 0)  
VCE = 450 V  
250  
µA  
VCEO(sus) Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
(IB = 0)  
IC = 100 mA  
IE = 10 mA  
450  
9
V
VEBO  
Emitter-Base Voltage  
(IC = 0)  
V
VCE(sat)  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 1 A  
IC = 2 A  
IC = 3 A  
IB = 0.2 A  
IB = 0.4 A  
IB = 0.75 A  
0.5  
0.7  
1.1  
V
V
V
VBE(sat)  
hFE  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 1 A  
IC = 2 A  
IB = 0.2 A  
IB = 0.4 A  
1.1  
1.2  
V
V
DC Current Gain  
IC = 10 mA  
IC = 0.5 A  
IC = 2 A  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
10  
60  
Group A  
Group B  
13  
22  
23  
32  
RESISTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
IC = 2.5 A  
IB1 = -IB2 = 0.5 A tp = 30 µs  
VCC = 150 V  
ts  
tf  
1.0  
2.2  
0.8  
µs  
µs  
INDUCTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
IC = 2 A  
VBE(off) = -5 V  
VCL = 250 V  
IB1 = 0.4 A  
RBB = 0 Ω  
L = 200 µH  
ts  
tf  
1
55  
1.8  
100  
µs  
ns  
INDUCTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
IC = 2 A  
VBE(off) = -5 V  
VCL = 250 V  
IB1 = 0.4 A  
RBB = 0 Ω  
L = 200 µH  
ts  
tf  
1.3  
100  
µs  
ns  
o
Tj = 125 C  
Vf  
Diode Forward Voltage IC = 2 A  
1.5  
V
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
The product ispre-selected in DC current gain (Group A and Group B). STMicroelectronics reserves the right to ship either groups  
according to production availability. Please contact your nearest STMicrolectronics sales office for deliverydatails.  
2/6  
BUL38D  
Safe Operating Area  
Derating Curve  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
Collector-Emitter SaturationVoltage  
Base-EmitterSaturation Voltage  
3/6  
BUL38D  
InductiveStorage Time  
Inductive Fall Time  
Reverse Biased SOA  
RBSOA and Inductive Load Switching Test  
Circuit  
(1) Fast electronic switch  
(2) Non-inductive Resistor  
(3) Fast recovery rectifier  
4/6  
BUL38D  
TO-220 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
4.40  
1.23  
2.40  
TYP.  
MAX.  
4.60  
1.32  
2.72  
MIN.  
0.173  
0.048  
0.094  
MAX.  
0.181  
0.051  
0.107  
A
C
D
D1  
E
1.27  
0.050  
0.49  
0.61  
1.14  
1.14  
4.95  
2.4  
0.70  
0.88  
1.70  
1.70  
5.15  
2.7  
0.019  
0.024  
0.044  
0.044  
0.194  
0.094  
0.393  
0.027  
0.034  
0.067  
0.067  
0.203  
0.106  
0.409  
F
F1  
F2  
G
G1  
H2  
L2  
L4  
L5  
L6  
L7  
L9  
DIA.  
10.0  
10.40  
16.4  
0.645  
13.0  
2.65  
15.25  
6.2  
14.0  
2.95  
15.75  
6.6  
0.511  
0.104  
0.600  
0.244  
0.137  
0.147  
0.551  
0.116  
0.620  
0.260  
0.154  
0.151  
3.5  
3.93  
3.85  
3.75  
P011C  
5/6  
BUL38D  
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences  
of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is  
granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are  
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http://www.st.com  
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配单直通车
BUL38D产品参数
型号:BUL38D
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.56
Samacsys Description:Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:450 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:80 W
最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):1900 ns
VCEsat-Max:1.1 V
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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