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CSD16301Q2产品参数和技术文档

CSD16301Q2产品图

CSD16301Q2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.21390
$641.70
6,000
0.20010
$1,200.60
15,000
0.18630
$2,794.50

CSD16301Q2产品参数

品牌:Texas Instruments

描述:MOSFET N-CH 25V 6-SON

详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 5A(Tc) 2.3W(Ta) 6-SON

制造商:Texas Instruments

系列:NexFET™

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,8V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 4A,8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.55V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.8nC @ 4.5V

Vgs(最大值):+10V,-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):340pF @ 12.5V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-SON

封装/外壳:6-SMD,扁平引线

标准包装:3,000

其它名称:296-25260-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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