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    • FDB8878图

    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • FDB8878 现货库存
    • 数量12300 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号24+ 
    • 全新原装★真实库存★含13点增值税票！
    • QQ:2353549508QQ：2353549508 复制
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

       该会员已使用本站17年以上
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    • 数量5000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号16+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 010-62106431 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • FDB8878
    • 数量57600 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
    • QQ:1091796029QQ：1091796029 复制
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    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
    • FDB8878图

    • 北京齐天芯科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FDB8878
    • 数量5000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装原厂封装 
    • 批号16+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 数量660000 
    • 厂家ON Semiconductor（安森美） 
    • 封装TO-263-3 
    • 批号D2Pak (2 Leads + Tab) 
    • 23+
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    • 0755-21006672 QQ:3008961398
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    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • 数量20000 
    • 厂家VBsemi/台湾微碧 
    • 封装TO-263 
    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
    • QQ:1940213521QQ：1940213521 复制
    • 15973558688 QQ:1940213521
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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    • 数量22358 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号22+ 
    • 房间现货，价格优势。
    • QQ:424519403QQ：424519403 复制
    • 一线：0755-23483775 QQ:424519403
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量85000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
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    • 华富芯（深圳）智能科技有限公司

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    • 数量15000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号22+ 
    • 大量原装正品现货热卖，价格优势，支持实单
    • QQ:1368960024QQ：1368960024 复制
    • 0755-23482756 QQ:1368960024
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
    • QQ:2881475757QQ：2881475757 复制
    • 0755-83225692 QQ:2881475757
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    • 深圳市晨豪科技有限公司

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    • 数量89630 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 当天发货全新原装现货
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      QQ:1852346906QQ：1852346906 复制
    • 0755-82732291 QQ:1743149803QQ:1852346906
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    • 深圳德田科技有限公司

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    • 厂家新年份 
    • 封装9600 
    • 批号 
    • 原装正品现货，可出样品！！！
    • QQ:229754250QQ：229754250 复制
    • 0755-83254070 QQ:229754250
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 数量3500 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号23+ 
    • 全新原装现货特价销售！
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    • 0755-82723761 QQ:867789136QQ:1245773710
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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    • 数量8357 
    • 厂家onsemi(安森美) 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 集好芯城

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    • 数量1068 
    • 厂家ON Semiconductor 
    • 封装 
    • 批号最新批次 
    • 原厂原装公司现货
    • QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    • 数量12300 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号24+ 
    • ★原装真实库存★13点税!
    • QQ:2885134615QQ：2885134615 复制
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    • 0755-83201583 QQ:2885134615QQ:2353549508
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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装原厂封装 
    • 批号16+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:528164397QQ：528164397 复制
      QQ:1318502189QQ：1318502189 复制
    • 0755-82807088 QQ:528164397QQ:1318502189
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    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • 封装TO-263.. 
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    • 全新原装正品现货特价
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    • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
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    • 深圳市三得电子有限公司

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    • 深圳原装现货库存，欢迎咨询合作
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    • 深圳市富科达科技有限公司

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    • 批号2020+ 
    • 全新原装进口现货特价热卖,长期供应."
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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 数量19156 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
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    • 深圳市宇集芯电子有限公司

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    • 数量99000 
    • 厂家FAIRCHIL 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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    • 深圳市富科达科技有限公司

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    • 数量24652 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装 
    • 批号2020+ 
    • 全新原装进口现货特价热卖，长期供货
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    • 深圳市迈锐达科技有限公司

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    • 数量2623 
    • 厂家FSC 
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    • 原装现货！冷门优势库存
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 数量30000 
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    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
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    • 数量16582 
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    • 封装TO-263 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • FDB8878
    • 数量16582 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市宇川湘科技有限公司

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    • 厂家ON 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
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    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 数量187500 
    • 厂家FSC仙童 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号21+ 
    • 体验愉快问购元件！！就找我吧!
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    产品型号FDB8878的概述

    芯片FDB8878的概述 FDB8878是一款高性能的H桥驱动芯片，广泛应用于电动马达控制、步进电机驱动以及直流电机控制等领域。该芯片的设计使其能够有效控制电机的速度和方向，适用于各种家用电器、机器人及自动化设备等场合。FDB8878以其高效率和稳定性受到了行业内的广泛关注，成为许多设计工程师的首选部件。 芯片FDB8878的详细参数 FDB8878的主要技术参数包括： - 工作电压范围：通常工作在10V至55V的电压范围内，适合多种电源环境。 - 最大输出电流：该芯片能够提供高达5A的持续输出电流，这使其在驱动高负载设备时具有良好的表现。 - 工作温度范围：芯片的工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于多种严苛的环境。 - PWM频率：支持脉冲宽度调制(PWM)信号控制，最高工作频率可达20kHz。 - 输入电压：逻辑输入电压范围通常为3.3V或5V，能够与多种控制器兼容。 ...

    产品型号FDB8878的Datasheet PDF文件预览

    November 2005  
    FDB8878  
    N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET  
    30V, 48A, 14mΩ  
    General Descriptions  
    Features  
    „ rDS(ON) = 14mΩ, VGS = 10V, ID = 40A  
    This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
    improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
    either synchronous or conventional switching PWM  
    controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
    „ rDS(ON) = 18mΩ, VGS = 4.5V, ID = 36A  
    „ High performance trench technology for extremely low  
    rDS(ON)  
    „ Low gate charge  
    rDS(ON) and fast switching speed.  
    „ High power and current handling capability  
    „ RoHS Compliant  
    D
    GATE  
    G
    DRAIN  
    SOURCE  
    (FLANGE)  
    TO-263AB  
    D
    FDB SERIES  
    MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    VDSS  
    VGS  
    Parameter  
    Ratings  
    30  
    Units  
    Drain to Source Voltage  
    Gate to Source Voltage  
    Drain Current  
    V
    V
    ±20  
    Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
    Continuous (TC = 25oC, VGS = 4.5V)  
    Pulsed  
    48  
    42  
    A
    A
    A
    ID  
    (Note 4)  
    170  
    L = 1mH, IAS = 11A  
    L = 0.03mH,IAS = 38A  
    60  
    EAS  
    Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
    mJ  
    21  
    PD  
    Power dissipation  
    47.3  
    -55 to 175  
    W
    oC  
    TJ, TSTG  
    Operating and Storage Temperature  
    Thermal Characteristics  
    RθJC  
    RθJA  
    Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)  
    3.7  
    43  
    oC/W  
    oC/W  
    Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)  
    Package Marking and Ordering Information  
    Device Marking  
    Device  
    Package  
    Reel Size  
    Tape Width  
    24mm  
    Quantity  
    FDB8878  
    FDB8878  
    TO-263  
    13”  
    800 units  
    ©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDB8878 Rev. A  
    1
    www.fairchildsemi.com  
    Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min  
    Typ  
    Max  
    Units  
    Off Characteristics  
    BVDSS  
    Drain to Source Breakdown Voltage  
    ID = 250µA, VGS = 0V  
    30  
    -
    -
    V
    ∆BVDSS  
    ∆TJ  
    ID = 250µA,  
    Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
    21  
    mV/oC  
    Referenced to 25oC  
    VDS = 24V  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    IDSS  
    IGSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Gate to Source Leakage Current  
    µA  
    VGS = 0V  
    TA = 150oC  
    250  
    ±100  
    VGS = ±20V  
    nA  
    On Characteristics  
    VGS(TH)  
    Gate to Source Threshold Voltage  
    VGS = VDS, ID = 250µA  
    1.2  
    1.7  
    -5  
    2.5  
    V
    ∆VGS(TH)  
    ∆TJ  
    Gate to Source Threshold Voltage  
    Temperature Coefficient  
    ID = 250µA,  
    mV/oC  
    Referenced to 25oC  
    ID = 40A, VGS = 10V  
    ID = 36A, VGS = 4.5V  
    -
    -
    12  
    15  
    14  
    18  
    rDS(ON)  
    Drain to Source On Resistance  
    mΩ  
    ID = 40, VGS = 10V,  
    TA = 175oC  
    -
    19  
    21  
    Dynamic Characteristics  
    CISS  
    COSS  
    CRSS  
    RG  
    Input Capacitance  
    -
    -
    -
    927  
    188  
    117  
    3.0  
    1235  
    250  
    pF  
    pF  
    pF  
    Ω
    VDS = 15V, VGS = 0V,  
    f = 1MHz  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer Capacitance  
    Gate Resistance  
    175  
    f = 1MHz  
    Qg(TOT)  
    Qg(5)  
    Qgs  
    Total Gate Charge at 10V  
    Total Gate Charge at 5V  
    Gate to Source Gate Charge  
    Gate Charge Threshold to Plateau  
    Gate to Drain “Miller” Charge  
    VGS = 0V to 10V  
    -
    -
    -
    -
    -
    17.1  
    9.2  
    23  
    12  
    -
    nC  
    nC  
    nC  
    nC  
    nC  
    VDD = 15V  
    VGS = 0V to 5V ID = 40A  
    Ig = 1.0mA  
    2.6  
    Qgs2  
    Qgd  
    1.7  
    -
    3.7  
    -
    Switching Characteristics (VGS = 10V)  
    tON  
    td(ON)  
    tr  
    Turn-On Time  
    Turn-On Delay Time  
    Rise Time  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    255  
    11.1  
    244  
    14.8  
    35.3  
    50  
    383  
    75  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    VDD = 15V, ID = 40A  
    VGS = 10V, RGS = 16Ω  
    td(OFF)  
    tf  
    Turn-Off Delay Time  
    Fall Time  
    tOFF  
    Turn-Off Time  
    Drain-Source Diode Characteristics  
    ISD = 40A  
    -
    -
    -
    -
    1.1  
    0.85  
    14.4  
    5.1  
    1.25  
    1.2  
    V
    V
    VSD  
    Source to Drain Diode Voltage  
    ISD = 3.2A  
    trr  
    Reverse Recovery Time  
    ISD = 40A, dISD/dt=100A/µs  
    ISD = 40A, dISD/dt=100A/µs  
    18.8  
    6.7  
    ns  
    nC  
    QRR  
    Reverse Recovered Charge  
    Notes:  
    1: Starting T = 25°C, V = 30V, V = 10V  
    J
    DD  
    GS  
    2:  
    R
    is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the  
    θJA  
    drain pins. R  
    is guaranteed by design while R  
    is determined by the user’s board design.  
    θJA  
    θJC  
    2
    3:  
    R
    is measured with 1.0 in copper on FR-4 board  
    θJA  
    4: Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
    2
    www.fairchildsemi.com  
    FDB8878 Rev. A  
    Typical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
    2.4  
    2.2  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    80  
    70  
    60  
    50  
    10V  
    PULSE DURATION = 80µs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    3.0V  
    4.5V  
    5.0V  
    4.0V  
    3.5V  
    4.0V  
    40  
    30  
    20  
    4.5V  
    3.5V  
    PULSE DURATION = 80µs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    5.0V  
    3.0V  
    10  
    0
    1.0  
    0.8  
    10V  
    0.4  
    0
    0.8  
    1.2  
    2.0  
    20  
    40  
    1.6  
    60  
    80  
    0
    V
    , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    I , DRAIN CURRENT (A)  
    DS  
    D
    Figure 1. On Region Characteristics  
    Figure 2. On-Resistance Variation with Drain  
    Current and Gate Voltage  
    0.06  
    1.7  
    1.5  
    1.3  
    I
    =40A  
    D
    PULSE DURATION = 80µs  
    I
    V
    = 40A  
    D
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    =10V  
    GS  
    0.05  
    0.04  
    0.03  
    1.1  
    o
    T
    =175 C  
    J
    0.03  
    0.01  
    0.9  
    0.7  
    o
    T
    =25 C  
    J
    2
    4
    6
    8
    10  
    - 80  
    - 40  
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    200  
    o
    T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
    V
    , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    J
    GS  
    Figure 3. On Resistance Variation with  
    Temperature  
    Figure 4. On-Resistance Variation with  
    Gate-to-Source Votlage  
    100  
    80  
    PULSE DURATION = 80µs  
    70  
    60  
    50  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    V
    = 0V  
    GS  
    10  
    V
    = 6V  
    DS  
    o
    T
    = 175 C  
    A
    1.0  
    40  
    30  
    20  
    o
    o
    T
    = 175 C  
    0.1  
    A
    T
    = 25 C  
    A
    o
    0.01  
    0.001  
    T
    = 25 C  
    A
    o
    T
    = - 55 C  
    A
    10  
    0
    o
    T
    = -55 C  
    A
    1.0  
    2.0  
    4.0  
    5.0  
    3.0  
    0
    0.3  
    0.6  
    0.9  
    1.2  
    1.5  
    V
    , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    V
    , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE  
    GS  
    SD  
    Figure 5. Transfer Characteristics  
    Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
    With Source Current and Temperature  
    3
    www.fairchildsemi.com  
    FDB8878 Rev. A  
    Typical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
    10  
    10000  
    f = 1MHz  
    = 0V  
    VDD =15V  
    V
    GS  
    8
    C
    ISS  
    1000  
    6
    4
    C
    OSS  
    C
    RSS  
    100  
    10  
    WAVEFORMS IN  
    ASCENDING ORDER:  
    ID = 40A  
    2
    0
    ID = 1A  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    0.1  
    1
    10  
    30  
    V
    , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Q , GATE CHARGE (nC)  
    DS  
    g
    Figure 7. Gate Charge Characteristics  
    Figure 8. Capacitance Characteristics  
    1000  
    500  
    If R = 0  
    = (L)(I )/(1.3*RATED BV  
    t
    - V  
    )
    AV  
    AS  
    DSS  
    DD  
    SINGLE PULSE  
    If R  
    ¼ 0  
    T
    T
    = MAX RATED  
    = 25 C  
    t
    = (L/R)ln[(I *R)/(1.3*RATED BV  
    - V ) +1]  
    DD  
    J
    AV  
    AS  
    DSS  
    o
    C
    100  
    100  
    10  
    1
    o
    STARTING T = 25 C  
    J
    10  
    10µs  
    OPERATION IN THIS  
    AREA MAY BE LIMITED  
    o
    STARTING T = 150 C  
    J
    100µs  
    BY r  
    DS(ON)  
    1ms  
    DC  
    1
    100  
    1
    10  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    0.1  
    10  
    100  
    V
    , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    DS  
    t
    , TIME IN AVALANCHE (ms)  
    AV  
    Figure 9. Unclamped Inductive Switching  
    Capability  
    Figure 10. Safe Operating Area  
    10000  
    80  
    70  
    60  
    50  
    SINGLE PULSE  
    o
    1000  
    100  
    10  
    R
    = 0.5 C/W  
    o
    θJC  
    = 25 C  
    T
    J
    40  
    V
    = 10V  
    GS  
    30  
    20  
    V
    = 4.5V  
    GS  
    o
    10  
    0
    R
    = 3.17 C/W  
    θJC  
    50  
    0
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    1
    -2  
    -1  
    0
    -5  
    -4  
    -3  
    10  
    10  
    10  
    10  
    10  
    10  
    10  
    V
    , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    DS  
    t, PULSE WIDTH (s)  
    Figure 12. Single Pulse Maximum Power  
    Dissipation  
    Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs  
    Case Temperature  
    4
    www.fairchildsemi.com  
    FDB8878 Rev. A  
    2
    1
    DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    P
    DM  
    0.1  
    t
    1
    t
    2
    NOTES:  
    DUTY FACTOR: D = t /t  
    1
    2
    SINGLE PULSE  
    PEAK T = P  
    x R  
    + T  
    J
    DM  
    θJC C  
    0.01  
    -5  
    -4  
    -3  
    -2  
    -1  
    0
    1
    10  
    10  
    10  
    10  
    t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
    10  
    10  
    10  
    Figure 13. Transient Thermal Response Curve  
    5
    www.fairchildsemi.com  
    FDB8878 Rev. A  
    TRADEMARKS  
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    ®
    ®
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    Across the board. Around the world.™  
    ®
    The Power Franchise  
    SuperFET™  
    SuperSOT™-3  
    Programmable Active Droop™  
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    systems which, (a) are intended for surgical implant into  
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    failure to perform when properly used in accordance  
    with instructions for use provided in the labeling, can be  
    reasonably expected to result in significant injury to the  
    user.  
    2. A critical component is any component of a life  
    support device or system whose failure to perform can  
    be reasonably expected to cause the failure of the life  
    support device or system, or to affect its safety or  
    effectiveness.  
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    Definition of Terms  
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    Product Status  
    Definition  
    Advance Information  
    Formative or  
    In Design  
    This datasheet contains the design specifications for  
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    any manner without notice.  
    Preliminary  
    First Production  
    This datasheet contains preliminary data, and  
    supplementary data will be published at a later date.  
    Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
    changes at any time without notice in order to improve  
    design.  
    No Identification Needed  
    Obsolete  
    Full Production  
    This datasheet contains final specifications. Fairchild  
    Semiconductor reserves the right to make changes at  
    any time without notice in order to improve design.  
    Not In Production  
    This datasheet contains specifications on a product  
    that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
    The datasheet is printed for reference information only.  
    Rev. I17  
    配单直通车
    FDB8878产品参数
    型号:FDB8878
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：D2PAK
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
    针数：3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.71
    雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A
    最大漏极电流 (ID)：48 A
    最大漏源导通电阻：0.014 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-263AB
    JESD-30 代码：R-PSSO-G2
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：2
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：175 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：47.3 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：170 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
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