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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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FDG6322C产品参数和技术文档

FDG6322C产品图

FDG6322C产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.14193
$425.80

FDG6322C产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):220mA,410mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 220mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 10V

功率 - 最大值:300mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6

标准包装:3,000

其它名称:FDG6322CTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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