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产品型号FQP22P10的概述

芯片FQP22P10的概述 FQP22P10是一款功率MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),主要用于高效的开关电源和各种功率应用。其主导特性为低导通电阻和较高的击穿电压,使其在多种电气工程中得到广泛应用。该器件被广泛应用于电源管理、马达控制和放大器等领域,是现代电子设备中不可或缺的一部分。 芯片F...
配单直通车
FQP22P10产品参数
型号:FQP22P10
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):710 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):22 A
最大漏极电流 (ID):22 A
最大漏源导通电阻:0.125 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):88 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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