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| 型号: | GT60M303 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 170 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 600 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 460 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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