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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • HIP6603ACBZ-T图
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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HIP6603BCB产品参数
型号:HIP6603BCB
是否无铅: 含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS INC
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
标称输出峰值电流:0.73 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压:13.2 V
最小供电电压:10.8 V
标称供电电压:12 V
电源电压1-最大:12 V
电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES
温度等级:OTHER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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