IRFR024N

IRFR024

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IRFR024N代理

IRFR024N中文资料 直线：13316887805 QQ：2501633055 徐小姐

IRFR024NPBF

IRFR024N MOSFET N通道，金属氧化物

FET功能标准

漏源极电压(Vdss)55V

电流-连续漏极(Id)（25°C时）17A（Tc）

不同Id、Vgs时的RdsOn（最大值）75毫欧@10A，10V

不同Id时的Vgs(th)（最大值）4V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)20nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)370pF@25V

功率-最大值45W

安装类型表面贴装

封装尺寸TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63，D-Pak

IRFR024N应用资料

滞环控制的LED驱动设计，主要研究设计一种高边电流检测的滞环控制的LED驱动电路.电流滞环控制方式解决了电流峰值控制中峰值电流与平均电流不一致的问题，并且没有峰值电流控制中出现的占空比大于0.5时次谐波震荡现象，故无须斜坡补偿电路，电路结构相对简单.能适应宽范围类电压输入以及较大范围负载变化的场合.且电路实现了数字PWM调光，实验测试结果表明电路性能稳定，调光效果好，无闪烁，电流平滑变化，能适应需要智能调光的场合，符合节能的要求以及可以用在原边反馈，次级输出电压波动较大的无光耦反馈的廉价场合. 关键点波形测试，在上述分析的基础上，设计了实验电路进行验证，电路参数为：RS取0.5Ω，电感L的值为220μH，续流二极管为SS34，开关MOS管选用IRFR024，电流检测器采用LM358通用运放，比较器选用LM393，与非门用74HC00，MOS驱动选用UCC27524D，R1=R2=4.7kΩ，R3=R4=47kΩ，R7=500Ω，R6采用3个200Ω电阻并联，R5=910Ω.图3(a)所示为实验电路占空比较大时，通过LED电流iRS与MOS管门极电压VGS波形图.图3(b)为占空比较小时，通过LED电流iRS与MOS管门极电压VGS波形图.通道1为电流探头测得通过LED的电流波形，通道2为MOS管门极电压VGS波形.由图3(a).图3(b)可知iRS电压在一个最大值与最小值之间滞环变化，VGS从最大占空比与最小占空比之间变化.该图形表明，该滞环电路能稳定iRS平均电压，即稳定输出电流Iled.且占空比变化范围大，能适应大范围输入电压变化或输出负载变化的场合.图4为调光信号占空比为0.5时的电路的工作波形图，通道1的波形为加入调光信号后输出的电流波形图.通道2为频率300Hz脉宽从1%~99%可调的PWM数字调光信号.有关IRFR024N代理、IRFR024N中文资料、IRFR024N的详细参数：IRFR024N全新原装正品，有关采购IRFR024N型号参数，了解IRFR024N下载、IRFR024N价格、IRFR024N厂家图片、IRFR024N封装及IRFR024N现货供应信息，欢迎来电咨询!深圳市南北行科技发展有限公司联系人：徐小姐 QQ：2501633055 联系电话：13316887805功能结构图引脚功能描述特色引脚的使用频率(F)引脚的典型应用线电压检测(L)引脚及外部流限(X)引脚的典型应用多功能(M)引脚的典型应用