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大量优势库存

Leti执行长Emmanuel Sabonnadiere则表示:「Leti的团队利用其200mm通用平台全力支援意法半导体硅基氮化镓功率产品的策略规划,并完成准备将该技术移转到意法半导体图尔工厂的硅基氮化镓专用生产线。此项合作需要双方团队的共同努力,并利用IRT奈米电子研究所的框架计划来扩大所需的专业知识并在元件和系统层面从头开始创新。」

前途无限的硅基氮化镓

硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高,晶圆可以做得很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,晶圆的长度可以拉长至2米。硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。理论上相同击穿电压与导通电阻下的芯片面积仅为硅的千分之一,目前能做到十分之一。

如果说硅基氮化镓器件有什么缺点,那就是单品的价格偏贵。但据我们了解,使用了这种器件后,所需要的配套外围电子元件、冷却系统成本大幅降低。虽然论单个器件成本,氮化镓比硅基器件贵,但是论系统整体成本,氮化镓与硅基器件的成本差距已经非常小,在大规模量产后可实现比硅器件更高性能与更低成本。


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