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产品型号HY57V561620CT-H的概述

芯片HY57V561620CT-H概述 HY57V561620CT-H是一款由现代存储技术公司(Hyundai Electronics)设计和制造的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。其主要应用于各种电子设备中,包括计算机、服务器和嵌入式系统等...
配单直通车
HY57V561620CT-H产品参数
型号:HY57V561620CT-H
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.71
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0
长度:22.238 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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