LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide SEMICONDUCTOR)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHZ蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDmos晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。 LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDmos晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率，且线性较好。LDmos晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大(典型注入剂量 1015cm-2)的砷(As)，另一次

在前面的讨论中，都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响，都是假设衬底和晶体管的源极相连，即VBS (Bulk-Source)=0的情况，而实际工作中，经常出现衬底和源极不相连的情况，此时，VBS不等于0。 在晶体管的衬底与器件的源区形成反向偏置时，将对器件产生什么影响呢? 由基本的pn结理论可知，处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。上图说明了NMOS管在VDS较小时的衬底耗尽层变化情况，图中的浅色边界是衬底偏置为0时的耗尽层边界。当衬底与源处于反偏时，衬底中的耗尽区变厚，使得耗尽层中的固定电荷数增加。由于栅电容两边电荷守衡，所以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可动电荷的减少，从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使mos晶体管的阈值电压的数值提高。对NMOS，VTN更正，对PMOS，VTP更负，即阈值电压的绝对值提高了。 在工程设计中，衬底偏置效应对阈值电压的影响可用下面的近似公式计算： γ为衬底偏置效应系数，它随衬底掺杂浓度而变化，典型值：Nmos晶体管，γ=0.7~3.0。Pmos晶体管，γ=0.5~0.7对于Pmos晶体管，∆VT取负值，对NMO

MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，考虑了小尺寸器件的一些二级效应的影响。该模型适于沟长大于2微米,沟道宽度在6微米左右，栅氧化层厚度大于250埃的MOSFET。考虑的主要的二级效应包括：（1） 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。（2） 表面电场对载流子迁移率的影响。（3） 载流子的漂移度饱和。（4） 亚阈值电流（弱反型电流）。 计算速度慢， 精度仍不够， 输出电阻不连续 MOSFET的三级模型是一个包括短沟和窄沟等二级效应的半经验模型。与MOSFET的二级模型相比，计算效率较高，但它的经验模型参数与器件尺寸有关。该模型适于沟长大于1微米,栅氧化层大于200埃的MOSFET。其中主要考虑的二级效应有： （1） 漏压感应的表面势垒降低（DIBL）对阈值电压的影响。 （2） 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。 （3） 表面电场对载流子迁移率的影响。 （4） 载流子的漂移速度饱和。 三级模型中的亚阈值区电流与二级模型相同。 计算速度快， 但输出电阻不连续。mos晶体管的电流-电压方程 对于mos晶体管的电流-电压特性的经典描述是萨氏方程。 式中的λ是沟道长度调制因子，表征了沟道长度调制的程度，当不考虑沟道长度调制作用时，λ=10~5m硅栅P阱CMOS工艺沟道长度调制

意法半导体（STMicroelectronics） 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK® 封装的功率IC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率场效应mos晶体管，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK®技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应mos晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比，PolarPAK的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比SO-8封装处理的电流高一倍。. 新器件采用ST最新优化的STripFET™制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10V时，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫欧，30A STK850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款MOSFET的通态电阻的主要因素。 电容低和栅电荷总量低使STK800成为非隔离型直流-直流降压转换器的控制FET的理想选择，同时极低的RDS(on)电阻使STK850成为一个优秀的同步FET解决方案。较低的工作温度有助于提高能效和使用寿命的可靠性。新的封装加强了裸片保护，提高了制造过程中芯片拾放的便利性，并兼容现有的SMD组装设备。新器件的多个货

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              ST公司推出混合发射极开关双极晶体管(ESBT)STE50DE100,它把双极晶体管和MOSFET的优点组合在一起,设计用在焊接设备,包括加热系统和音频放大器的功率因素修正.该器件降低了在加热,焊接和功率因素修正等方面应用损耗.STE50D100能经受高集电极-源极电压1000V和高达50A的集电极电流.四端器件安装在精心设计的螺钉安装的TSOTOP封装.它的设计组合了双极晶体管和MOSFET的强项而消除了它们的缺点.到现在用在功率开关应用的功率双极技术的频率地于70KHz.它的集电极-发射极饱和电压低,使它具有低的导通损耗.它的缺点包括开关速度低,驱动电路需要大电流以及和电路精细调整有关的问题.相反,MOSFET技术广泛应用在高频功率开关.MOSFET的主要优点是开关速度高和驱动电路需要非常低的电流.它的缺点包括相对于双极技术较高的成本和在导通时较大的功耗.把这两种技术的优点组合,消除它们的缺点,STE50DE100把导通损耗降低到双极晶体管的同样水平,而在高达150KHz的高速开关时有MOSFET同样的良好性能.此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,器件提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑.坚固耐用的ISOTOP是器件能在25度C时经受非常高的总功耗160W.最大的工作温度为150度C,绝缘电压是2500V AC-RMS.1K量的单价为$20.0.下图为产品外形图.详情

              飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出一款7通道马达驱动器IC——FAN8741。这款单片式IC具有很低的输出导通电阻(电流为0.5A时，主轴0.8Ω；电流为0.25A时，sled为2.0Ω)，基于Dmos晶体管技术，有助于减少热量的生成，适合为DVD-RW设计所用。目前，东芝三星存储技术公司(Toshiba-Samsung Storage Technology)已选定该款驱动器IC，以用于其高端DVD-RW产品中。 据介绍，在3.3V电压和运行速度为10,000 rpm情况下，采用无刷直流(BLDC)马达进行测试，飞兆FAN8741的温度比同类产品低20℃还多。FAN8741具有内置热关断(TSD)功能及可靠功率器件封装，有助于提升高速光媒体应用的可靠性。这种7通道马达驱动器IC毋须附加元件。 FAN8741还具备180度换向、内置信道哑音功能，以及3.3V或5V DSP情况下8个独立电压源。而其内置7通道驱动器能够同时以PWM方式驱动3相的BLDC主轴马达；或以PWM方式驱动2信道的SLED马达；以及4个通道的线性驱动器，用来驱动对焦(focus actuator)、跟踪(tracking actuator)、倾斜(tilt actuator)和开关仓马达(loading motor)。 FAN8741采用56-SSOP无铅封装，达到并超过I

              意法半导体日前推出一个N沟道场效应mos晶体管，新产品用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。 STx9NK60ZD 是率先采用了SuperFREDMeshTM新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH?上实现了一个新载流子寿命控制过程，新器件不仅展现出优异的动态性能，而且还优化了体二极管的反向恢复时间(trr)，具有优异的软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。          采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻，执行齐纳二极管栅保护，提高dv/dt处理能力和成本竞争力。 这个器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流， 典型导通电阻RDS(on) 0.85欧姆。STF9NK60ZD可以处理最高30W的功率，而STB9NK60ZD 和 STP9NK60ZD的最高功率为120W。 新器件的雪崩测试率为100%，目前所选封装为TO-220、TO-220FP 和 D2PAK。 订购10万件的美国市场单价为0.80美元，详情登录网站www.st.com/pmos。          

联电日前发表一种可提升绝缘层覆硅晶体管效能的工程技术。与传统的基体接地绝缘层覆硅晶体管相比，此种直接穿隧感应浮体电位技术能扩大该组件的特定物理行为，增加30%的Pmos晶体管驱动电流。 联电表示，新技术与应变硅组件或多重闸极晶体管等其它性能提升技术有很大不同，这项新技术并不会增加制程的复杂度，意即不会造成额外的制造成本支出或良率的降低。 这项先进的工程技术是透过简单的设计布局结构来控制直接穿隧电流。直接穿隧是一种电子或电洞穿过薄绝缘层的量子机械行为。这个平常不太受欢迎的行为，却可经由此项工程技术来补强不受控制的浮体效应。有了这个额外的控制，除了性能获得提升之外，晶体管行为也将变得更容易预测。（转自 电子工程专辑）

英飞凌科技(InfineonTEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEEMTT-S国际微波技术研讨会(InternatiONalMicrowaveSymposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDmos晶体管系列产品。 新型晶体管的功率位准高达300W，视频频宽超过90MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peaktoaveragepowerratio)以及高数据传输速率规格。 新型晶体管系列产品所提供的高增益及高功率密度，优于在1.4-2.6GHz行动频带中运作的其它装置。如此将可使用体积减少30%的套件，设计更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助于设计Doherty放大器，以及减少其它架构中的零件数量。 这批新型晶体管以双载波WCDMA讯号(2170MHz、30V、8dBPAR及3.84MHz信道频宽)所测得的效能为50W平均功耗、18dB增益，效率28%(使用230W的P-1dB输出功率晶体管)。300W(P-1dB)装置于相同应用条件下，所测得的效能为65W平均功率、18dB增益，效率28%。 所有新型PTFB系列晶体管皆采用开放式共振腔(open-cavity)陶瓷封装，供螺栓式(bolt-down)或无耳式(earless)安装。这些产品皆无铅并符合ROHS规格。前六种产品的样品目前已可供货。

日本半导体理工学研究中心（STARC）宣布，其与广岛大学三浦研究室合作开发的电路模拟用mos晶体管模型“HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成为国际标准。电路模拟用晶体管模型的国际标准化机构“Compact Model Council：CMC”在2011年3月31日和4月1日于美国旧金山举行的会议上，选择HiSIM2作为Bulk基板mos晶体管的CMC标准模型。HiSIM2是考虑了从mos晶体管源极至漏极间电位分布的电位模晶体管型。与20世纪90年代开发的BSIM等将晶体管内部作为黑箱来处理的阈值电压模型相比，可更准确地处理晶体管的动作。BSIM3和BSIM4都于20世纪90年代被选作CMC标准模型，但后来随着微细化的发展，在准确度和处理时间（收敛性）上问题凸显，因此CMC决定征集取代BSIM的新一代模型。除准确度和收敛性出色外，HiSIM2还具有可模块化的特点。因此，容易开发诸如HiSIM_HV等扩展模型。HiSIM_HV是在HiSIM2掌控的Bulk mos晶体管模型旁边增加漂移方面的模型而开发出来的。此外，在HiSIM_HV中增加BJT的模型就开发出了“HiSIM-IGBT”。HiSIM-IGBT是由丰田中央研究所和丰田汽车分别与广岛大学合作研发出来的。另外，据STARC介绍，HiSIM2和HiSIM_HV的开发得到了日本独立行政法人新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的资助，从而加速了标准化。

英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球领先的半导体公司之一，其高可靠性，高质量的产品覆盖了模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置等领域。 在射频方面，英飞凌近期推出了一系列LDmos晶体管，最新第九代产品大功率管以PTFB系列为主，其具有功率大、效率高、增益高等特点。包括的型号有： - 适用于1800-2000MHz的PTFB182503E和PTFB183404F；其P1dB分别为240W和340W，增益分别为19dB和17dB。 - 适用于1800-2000MHz的PTFB191501E和PTFB192503F；其P1dB分别为150W和240W，增益分别为18dB和19dB。 - 适用于2110-2170MHz的PTFB211503EL，P1dB为150W，增益为18dB；PTFB211803EL，P1dB为180W，增益为17.5dB；PTFB212503EL，P1dB为240W，增益为18dB；PTFB213004F，P1dB为300W，增益为18dB。 在宽带功率放大管方面有工作频率从700MHz到2200MHz的产品，其型号分别为PTFA220041M、PTFA220081M、PTFA220121M；P1dB分别为5W、8W、15W；增益分别为17.9dB、17dB、16dB；由于其工作频带宽，且在保持电路不变的情况下，只需要改变匹配电容的参数与位置，就可以实现在不同频率下工作，减少了重复性设计工作，提供了很多方便。 世强电讯目前正着手采用这些最新的第九代LDMOS研发设计成DEMO测试板，目前开发的设计方案有：25W-35W W

在中国，英飞凌(Infineon TEchnologies)先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。 在LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管方面，英飞凌立足于最先进的LDMOS工艺技术和改善散热性能的封装，这家公司可制造门类齐全的RF功率晶体管和芯片产品，全面支持所有主要的无线通信和广播频段。先进的LDMOS工艺以及全自动RF组装和测试生产线，确保其产品具有业内领先的性能和质量。目前，包括爱立信、华为和中兴在内的不少知名的无线网络设备商都在大批采用英飞凌的LDMOS管。 PTFB系列LDmos晶体管是英飞凌全新推出的可供设计宽频无线网络基站的高功率LDmos晶体管系列产品，新型晶体管的单管输出功率高达300W，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。PTFB系列系列产品所提供的高增益及高功率密度，主要应用在1.4-2.6GHz频带中。如此将可使用体积减少30%的器件，设计更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于设计Doherty放大器，以及减少其它架构中的零件数量。 新型PTFB系列晶体管皆采用开放式共振腔(open-cavity)陶瓷封装，供螺栓式(bolt-down)或无耳式(earless)安装。这些产品皆无铅并符合ROHS规格，非常适合应用在WCDMA信号设备上，能够为设备提供出更高的增益和效率，还可大幅度提升最新M

中国领先的无线覆盖解决方案提供商福建三元达通讯股份有限公司(三元达)日前宣布推出中国首款高效Doherty发射器。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Doherty与飞思卡尔的性能领先的RF功率横向扩散MOS(LDMOS)晶体管，后者适用于广泛的应用。 三元达 数字电视(DTV)发射器为UHF应用提供了显着的电能节约以及同类产品中最高的输出功率。这不仅意味着广播电台可以实现显着的成本节省，而且充分支持中国的环保目标：实现最低程度的二氧化碳排放和电力消耗。 三元达执行副总裁黄海峰先生表示，“能够推出全球第一款商用的先进高效率Doherty技术，我们感到无比的自豪，这项先进的技术是由我们自己的研发实验室研发的。通过采用自有平台，我们将能够缩短产品周期并与市场中的其他全球OEM展开有效的竞争。 我们的半导体器件提供商飞思卡尔是RF LDMOS技术的全球领导者，帮助我们实现了这一重大飞跃。” 通过采用飞思卡尔的MRF6VP3450H器件，这款发射器的效率比竞争UHF TV广播解决方案提高了50%，而且系统级功耗更少。飞思卡尔的MRF6VP3450H器件在P1dB下提供超过450 W的 峰值功率，并在整个UHF广播频带中提供高效率。 发射器对于TV广播电台是一项庞大的运营成本，而这项运营成本的主要组成部分就是RF功率放大器产生的电能消耗。 “飞思卡尔非常高兴能够在三元达的这一重要产品中担当重要的作用。大多数国家和公司已经将环保主题列入历史议程。越来越多的低功率社区广播电台及全功率广播电台在积极寻求降低电能消耗的途径和方法，”飞思卡尔副总裁兼RF事业部总经理Gavin Woo

Fujitsu发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展，此款45奈米Cmos晶体管具备高击穿电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。也能支持10V功率输出，让晶体管能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其它高频应用中功率放大器的规格需求。此外，该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单芯片整合的目标，可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。 Fujitsu开发的新晶体管结构具有多项关键特性。晶体管的汲极周围有一个「轻微掺杂汲极」(lightly doped drain；LDD)区域，覆盖在闸极上。这种设计能降低水准延伸至汲极的电场，以及延伸至闸极氧化层的电场，故能提高击穿电压。 晶体管信道中的杂质(dopant)，呈侧面渐层分布。这种模式能降低信道中汲极侧的掺入杂质密度，进而限制了汲极电阻的提高幅度，此电阻是导通电阻(on-resistance)的主要来源。它亦降低水准延伸至汲极的电场，进而提高击穿电压。 要提高Cmos晶体管击穿电压，传统的作法是拉大闸极与汲极之间的间距。这种新开发的技术比传统方法更能有效抑制导通电阻，而且不必拉大间距。此外，这种新结构技术与3.3V I/O电压的标准晶体管维持极高的兼容性，因为它仅需要几个额外的步骤，以生成LDD区域以及客制化信道区域。 藉由采用45奈米制程技术把新型晶体管技术套用到3.3V I/O标准晶体管，Fujitsu开发出第一个把击穿电压从6V提高到10V的晶体管。在晶体管结构方面，为了让新晶体管适合用在功率放大器，在最高震荡频率43GHz下1mm (0.6W/mm)闸极宽度达到0.6W

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS）晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。 针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。 恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示：“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准，为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破，是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果，使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。 恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括： ·500W峰值输出功率（在1.4GHz,100μs脉冲宽度，25%占空比时） ·17dB增益 ·50%漏极效率 ·更佳耐用度 ·能够承受高达5dB的过驱动能力 ·更佳脉冲顶降 （低于0.2dB） ·供电电压50V ·无毒封装、符合RoHs标准 恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶瓷封装，可与BeO封装互相替代。 上市时间 恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体

Novaled AG（德国，德累斯顿）通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯（Pentacene）半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。 Novaled表示，当前的大多数开发都是基于并五苯（一类有机材料，通常仅用于p型晶体管的半导体层）展开。通过在晶体管源极或漏极接点加薄薄的一层p型或n型掺杂剂，晶体管变成纯P型或纯N型，抗噪性增强、待机时的耗电量也有所降低。p型及n型晶体管当前所能实现的电子迁移率均为0.01cm 2/Vs。 据Novaled公司CEO Gildas Sorin表示，Novaled的PIN OLED技术已经被用于显示屏|显示器件和照明领域。“我们研发的用于这两个应用领域的p型和n型掺杂剂也是一项开创性技术。Novaled将进一步加深对未来将成为主要市场的数字有机电子领域的研究。 Novaled有机电子项目组组长Tobias Canzler在8月份举行的2008 SPIE光学&光子学会议（Optics & Photonics Conference）上发表了一篇用于CMOS型晶体管的有机杂质添加技术的文章。

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恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDmos晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正寻求最大限度地利用功率传输大量数据，从而实现在家庭中播放DVB-T和DVB-H（数字视频广播）节目。BLF878超高频（UHF）大功率LDmos晶体管使这一点成为可能，它能从给定的输入功率获得最大的输出功率，并将恒波（CW）效率提高到55%，数字广播效率提高到32%，从而使广播商节省大量成本。由于没有其他竞争产品能够以300W功率、相同性能支持整个UHF波段，广播商可以通过恩智浦新的解决方案以相对以前更少的组件来提供这一水平的功率，从而进一步节省成本。恩智浦半导体射频功率广播及微波事业部全球市场经理GuidoBekkers表示：“为了将更丰富的内容传输到电视荧屏上，广播设备制造商承受着越来越大的压力，这对原本就难以控制的发射机成本提出了更多挑战。虽然我们的投入所占份额可能是最小的，但如果考虑到所涉及的支出，它对利润水平的贡献仍是相当可观。通过率先向市场提供如此强大功能的解决方案，恩智浦巩固了市场第一的地位，将又一个高效、强大、极具成本效益的解决方案提供给不断增长的客户群。”恩智浦是全球公认的UHF广播

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具有市场竞争力的针对汽车开关应用优化的大电流产品 意法半导体日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应mos晶体管，该产品采用ST最新优化的STripFET™专利技术，实现了最低的导通电阻。新产品STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品，最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。 这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS（防抱死制动系统）设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比，新产品在价格和导通电阻性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。 STD95N04符合汽车电工理事会（AEC）组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AECQ101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃，100%通过雪崩测试。 ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应mos晶体管将采用相同的技术，以满足DPAK(30V,逻辑电平,典型导通电阻在4.5V时等于4.5毫欧)和D2PAK(40V,标准电平,典型导通电阻在10V时等于2.0毫欧)的需求。 采用DPAK和TO-220封装的STD95N04现已投入量产。订购10,000件，单价0.38美元。

随着能源价格的不断上涨，广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求，飞思卡尔半导体推出超高效的射频功率晶体管。这款MRF6P3300H晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压（HV6）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具备出色的射频性能，并能增强下一代功率放大器和发射器的工作效率和可靠性。作为率先采用LDMOS技术开发功率晶体管的公司，飞思卡尔提供了一系列面向无线和广播基础设施应用的LDMOS射频晶体管产品。 凭借高输出功率，300W的MRF6P3300H设备可以帮助功率放大器制造商降低系统级成本，因为它达到指定功率目标所需的频率晶体管数量更少。由于晶体管数量减少，功率放大器的设计更加紧凑，散热更少，冷却要求也就随之降低。 使用体积更小但效率更高的MRF6P3300H功率放大器，广播公司能够降低长期运营成本 。根据飞思卡尔对典型的5kW数字电视基站的分析，采用多个MRF6P3300H设备的功率放大器，能帮助广播公司降低5200美元的年运营成本。如此大幅的成本节约要归功于飞思卡尔设备的出色的工作效率和低热阻（降低冷却成本）。 飞思卡尔射频产品部门总经理GavinWoods说："我们将MRF6P3300H设计成为广播市场上效率最高的功率射频晶体管。凭借MRF6P3300H的超群运行效率，功率放大器和发射器的制造商能够建立竞争优势。此外，使用这种设备，电视广播公司也能节省大量的运营成本。" MRF6P3300H设备采用飞思卡尔独有的"LowRth"封装技术，能够在放大器和发射器应用中实现出色的传热性能。这种封装技术带有专门设计的低热阻凸缘，能够加快热量从

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDmos晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。 如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正寻求最大限度地利用功率传输大量数据，从而实现在家庭中播放DVB-T和DVB-H（数字视频广播）节目。BLF878 超高频（UHF）大功率LDmos晶体管使这一点成为可能，它能从给定的输入功率获得最大的输出功率，并将恒波（CW）效率提高到55%，数字广播效率提高到32%，从而使广播商节省大量成本。由于没有其他竞争产品能够以300W功率、相同性能支持整个UHF波段，广播商可以通过恩智浦新的解决方案以相对以前更少的组件来提供这一水平的功率，从而进一步节省成本。 恩智浦半导体射频功率广播及微波事业部全球市场经理Guido Bekkers表示：“为了将更丰富的内容传输到电视荧屏上，广播设备制造商承受着越来越大的压力，这对原本就难以控制的发射机成本提出了更多挑战。虽然我们的投入所占份额可能是最小的，但如果考虑到所涉及的支出，它对利润水平的贡献仍是相当可观。通过率先向市场提供如此强大功能的解决方案，恩智浦巩固了市场第一的地位，将又一个高效、强大、极具成本效益的解决方案提供给不断增长的客户群

特征镜像引脚版本（A和B）可简化推挽式双向配置集成ESD保护，具有更大的负栅极 - 源极电压范围，可改善C类操作工作温度范围为-40°C至150°C特征在于30V至50V适合线性应用TO-220-3L封装应用工业，科学，医疗（ISM）：激光产生等离子蚀刻粒子加速器MRI和其他医疗应用工业加热，焊接和干燥系统广播：电台广播