英飞凌发布PTFB系列LDMOS晶体管

英飞凌科技(InfineonTEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEEMTT-S国际微波技术研讨会(InternatiONalMicrowaveSymposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品。

新型晶体管的功率位准高达300W，视频频宽超过90MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peaktoaveragepowerratio)以及高数据传输速率规格。

新型晶体管系列产品所提供的高增益及高功率密度，优于在1.4-2.6GHz行动频带中运作的其它装置。如此将可使用体积减少30%的套件，设计更小型且成本更低的放大器。高峰值功率非常有助于设计Doherty放大器，以及减少其它架构中的零件数量。

这批新型晶体管以双载波WCDMA讯号(2170MHz、30V、8dBPAR及3.84MHz信道频宽)所测得的效能为50W平均功耗、18dB增益，效率28%(使用230W的P-1dB输出功率晶体管)。300W(P-1dB)装置于相同应用条件下，所测得的效能为65W平均功率、18dB增益，效率28%。

所有新型PTFB系列晶体管皆采用开放式共振腔(open-cavity)陶瓷封装，供螺栓式(bolt-down)或无耳式(earless)安装。这些产品皆无铅并符合ROHS规格。前六种产品的样品目前已可供货。