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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市柯氏贸易有限公司

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  • 数量662500 
  • 厂家Microsemi Corporation 
  • 封装DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 
  • 批号21+ 
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  • 厂家MICROSEMI 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量326 
  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量35898 
  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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JAN1N3611产品参数和技术文档

JAN1N3611产品图

JAN1N3611产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
172
5.94221
$1,022.06

JAN1N3611产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

详细描述:标准 通孔 二极管 200V 1A

制造商:Microsemi Corporation

系列:军用,MIL-PRF-19500/228

包装:散装

零件状态:在售

二极管类型:标准

电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V

电流 - 平均整流(Io):1A

不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 1A

速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 300V

不同 Vr,F 时的电容:-

安装类型:通孔

封装/外壳:A,轴向

工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C

标准包装:1

其它名称:1086-1996 1086-1996-MIL

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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