发布采购
型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
  •  
  • 图片
  • 型号
  • 供货商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多
  • JANSR2N7380图
  • JANSR2N7380
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

     该会员已使用本站5年以上

  • 数量6800 
  • 厂家IR 
  • 封装N/A 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 和我即时交谈 和我即时交谈
  • JANSR2N7380图
  • JANSR2N7380
  • 深圳市朝华半导体有限公司

     该会员已使用本站16年以上

  • 数量5000 
  • 厂家IR 
  • 封装
  • 批号2021+ 
  • 原装假一赔十!可提供正规渠道证明!
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 755-88608527/83950895/83950019/83950890 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 1
  • 2
配单直通车

JANSR2N7380产品参数和技术文档

暂无图片

JANSR2N7380产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
436.94840
$21,847.42

JANSR2N7380产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

详细描述:通孔 N 沟道 100V 14.4A(Tc) 2W(Ta),75W(Tc) TO-257

制造商:Microsemi Corporation

系列:军用,MIL-PRF-19500/614

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 14.4A,12V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 12V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),75W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-257

封装/外壳:TO-257-3

标准包装:50

  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。