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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • JANSR2N7380图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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JANSR2N7380产品参数
型号:JANSR2N7380
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-257AA
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.16
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):150 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):14.4 A
最大漏源导通电阻:0.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257AA
JESD-30 代码:R-XSFM-P3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):58 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/614
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):130 ns
最大开启时间(吨):110 ns
Base Number Matches:1
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