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JANSR2N7380产品参数和技术文档

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JANSR2N7380产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
436.94840
$21,847.42

JANSR2N7380产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

详细描述:通孔 N 沟道 100V 14.4A(Tc) 2W(Ta),75W(Tc) TO-257

制造商:Microsemi Corporation

系列:军用,MIL-PRF-19500/614

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 14.4A,12V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 12V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),75W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-257

封装/外壳:TO-257-3

标准包装:50

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