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    • KI2306DS图

    • 深圳市雅维特电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • KI2306DS
    • 数量10000 
    • 厂家KEXIN 
    • 封装深圳原装现货0755-83975781 
    • 批号A/N 
    • QQ:767621813QQ：767621813 复制
      QQ:541766577QQ：541766577 复制
    • 0755-83975781 QQ:767621813QQ:541766577
    • KI2306DS图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • KI2306DS
    • 数量78800 
    • 厂家KEXIN 
    • 封装SOT-23-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • KI2306DS图

    • 绿盛电子（香港）有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • KI2306DS
    • 数量2015 
    • 厂家KEXIN 
    • 封装SOT23-3 
    • 批号29898 
    • ★专业代理MOS管，型号齐全，公司优势产品★
    • QQ:2752732883QQ：2752732883 复制
      QQ:240616963QQ：240616963 复制
    • 0755-25165869 QQ:2752732883QQ:240616963
    • KI2306DS图

    • 深圳市巨辉通科技有限公司

       该会员已使用本站14年以上
    • KI2306DS
    • 数量33000 
    • 厂家KEXIN 
    • 封装SOT23-3 
    • 批号2010+ 
    • ★专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品★
    • QQ:905208275QQ：905208275 复制
      QQ:839052285QQ：839052285 复制
    • 0755-83202636;83227655 QQ:905208275QQ:839052285
    • KI2306DS图

    • 深圳市捷创芯微科技有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • KI2306DS
    • 数量2019 
    • 厂家KEXIN 
    • 封装32580 
    • 批号SOT23-3 
    • 不止网上数量 电压齐全 长期现货
    • QQ:1601859887QQ：1601859887 复制
      QQ:1191626386QQ：1191626386 复制
    • 0755-83226185 QQ:1601859887QQ:1191626386
    • KI2306图

    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • KI2306
    • 数量40 
    • 厂家KEXIN/科信 
    • 封装SOT23 
    • 批号18+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871

    产品型号KI2306的Datasheet PDF文件预览

    IC  
    MOSFET  
    Product specification  
    KI2306  
    SOT-23-3  
    Unit: mm  
    +0.2  
    -0.2  
    2.9  
    0.4  
    ■ Features  
    +0.1  
    -0.05  
    3
    ●
    ●
    ●
    Ω
    RDS(ON)=0.030 @VGS=10V  
    Ω
    RDS(ON)=0.035 @VGS=4.5V  
    DS(ON)  
    GS  
    R
    =0.052Ω@V =2.5V  
    1
    2
    +0.1  
    0.95  
    -0.1  
    +0.05  
    0.1  
    -0.01  
    +0.2  
    -0.2  
    1.9  
    D
    S
    1. Gate  
    2. Source  
    3. Drain  
    G
    ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
    Unless Otherwise Noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Drain-source voltage  
    5sec  
    Steady State  
    Unit  
    V
    DS  
    GS  
    30  
    V
    V
    ±
    Gate-source voltage  
    12  
    ℃
    @T =25  
    A
    4
    3.16  
    2.7  
    Continuous drain current  
    D
    I
    ℃
    A
    @ TA=70  
    3.5  
    Pulsed drain current  
    IDM  
    20  
    ℃
    @TA=25  
    1.25  
    0.8  
    0.75  
    0.48  
    0.62  
    Maximum Power dissipation  
    D
    P
    W
    A
    ℃
    @ TA=70  
    Maximum Body-Diode Continuous Current  
    Thermal Resistance-Junction to Case (Note 1)  
    Is  
    1.04  
    θJC  
    65  
    70  
    R
    ℃
    /W  
    ≤
    Maximum Junction to Ambient (Note 1)  
    t
    10 sec  
    Steady State  
    Operating junction and storage temperature range  
    Note: 1. The device mounted on 1in2 FR4 board with 2 oz copper  
    RθJA  
    95  
    j
    stg  
    -55 to +150  
    ℃
    T ,T  
    http://www.twtysemi.com  
    sales@twtysemi.com  
    1 of 4  
    4008-318-123  
    IC  
    MOSFET  
    MOSFET  
    Product specification  
    KI2306  
    ■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
    Unless Otherwise Noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Testconditons  
    Min  
    30  
    Typ  
    Max  
    Unit  
    V
    DSS  
    GS  
    D
    Drain-source breakdown voltage  
    V
    V
    = 0 V, I = 250 µA  
    VDS = 30V, VGS = 0 V  
    1
    DSS  
    I
    Zero gate voltage drain current  
    µA  
    ℃
    =30V, V = 0 V, T = 55  
    DS  
    GS  
    J
    10  
    V
    GSS  
    ±
    VDS = 0 V, VGS = 12V  
    ±
    100 nA  
    Gate-body leakage  
    I
    Gate threshold voltage  
    VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 µA  
    0.7  
    20  
    1.4  
    V
    GS  
    GS  
    D
    V
    V
    = 10 V, I = 4.0 A  
    0.024 0.030  
    0.027 0.035  
    0.037 0.052  
    DS(ON)  
    Drain-source on-state resistance (Note 2)  
    R
    D
    Ω
    = 4.5 V, I =3.5 A  
    VGS = 2.5V, ID =2.8 A  
    D(on)  
    ≥
    5 V, V = 10 V  
    On-state drain current (Note 2)  
    Forward transconductance  
    gate charge  
    I
    DS  
    DS  
    GS  
    A
    S
    V
    V
    fs  
    D
    g
    = 4.5 V, I = 4.0 A  
    6.9  
    13  
    6.3  
    2.9  
    2.4  
    0.6  
    380  
    64  
    15  
    9
    Qg  
    VDS = 15V ,VGS =10V , ID= 4.0A  
    nC  
    g
    Total gate charge  
    Q
    DS  
    GS  
    D
    gs  
    V
    = 15V ,V = 4.5 V , I = 4.0 A  
    nC  
    Ω
    Gate-source charge  
    Gate-drain charge  
    Q
    Qgd  
    g
    Gate Resistance  
    R
    f = 1 MHz  
    iss  
    Input capacitance  
    C
    DS  
    GS  
    Output capacitance  
    Reverse transfer capacitance  
    Coss  
    V
    = 15V ,V = 0 , f = 1 MHz  
    pF  
    rss  
    C
    td(on)  
    tr  
    Turn-on time  
    Turn-off time  
    14  
    33  
    3
    VDD = 15V , RL = 15Ω ,  
    ns  
    V
    D
    I
    GEN  
    = 1A , V  
    G
    =-10V , R = 6Ω  
    d(off)  
    t
    f
    t
    Diode Forward Voltage  
    VSD  
    IS=1.25A, VGS=0V  
    0.8  
    1.2  
    �
    �
    Notes: 2. Pulse test: pulse width 300us, duty cycle  
    ≦
    2%  
    ≦
    http://www.twtysemi.com  
    sales@twtysemi.com  
    2 of 4  
    4008-318-123  
    IC  
    MOSFET  
    Product specification  
    KI2306  
    ■ Typical Characteristics  
    Gate Charge  
    10  
    V
    D
    = 15V  
    DS  
    I
    = 3.5 A  
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    Q
    - Total Gate Charge (nC)  
    g
    http://www.twtysemi.com  
    sales@twtysemi.com  
    3 of 4  
    4008-318-123  
    IC  
    MOSFET  
    Product specification  
    KI2306  
    ■ Typical Characteristics  
    Single Pulse Power  
    12  
    10  
    8
    6
    T
    A
    = 25_C  
    4
    2
    0
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    500  
    Time (sec)  
    http://www.twtysemi.com  
    sales@twtysemi.com  
    4 of 4  
    4008-318-123  
    配单直通车
    KI23308300J0G产品参数
    型号:KI23308300J0G
    生命周期：Active
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8536.69.40.40
    风险等级：5.65
    制造商序列号：KI
    端子和端子排类型：BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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