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SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计，用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统

2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及重要设计资源如器件仿真工具、SPICE模型和应用信息，以帮助设计和系统工程师应对高频电路的开发挑战。

安森美半导体的1200伏(V)、80毫欧(mΩ)、SiC MOSFET是强固的，符合现代高频设计的需求。它们结合高功率密度及高能效的工作优势，由于器件的更小占位，可显著降低运行成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少，进一步减少物料单(BoM)成本、尺寸和重量。

新器件的关键特性和相关设计优势包括领先同类的低漏电流、具低反向恢复电荷的快速本征二极管，从而大大降低功耗，支持更高频率工作和更高功率密度，低导通损耗(Eon)及关断损耗(Eoff) / 快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗，因此减少散热要求。低电容支持以很高频率开关的能力，减少恼人的电磁干扰(EMI)问题；同时，更高浪涌、雪崩能力和强固的短路保护增强整体强固性，提高可靠性和延长总预期使用寿命。