XC3042A-6PC84C
日期：2019-3-21摘要：北京显易科技有限公司小曹： 010-51987308 ；
QQ:1306610685；企业QQ:800062492
邮箱：bjxianyi-4@163.com 网址: www.ic158.com
北京显易科技有限公司小曹： 010-51987308 ；
QQ:1306610685；企业QQ:800062492
邮箱：bjxianyi-4@163.com 网址: www.ic158.com
大量优势库存
导读：三星推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%，并提供每个芯片双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，这是一个合适的场合，因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。
3月21日消息 在英伟达的GTC 2019大会上，三星发布了新的Flashbolt高带宽内存（HBM），据称是业界首款符合HBM2E规范的内存产品。
三星曾在2018年1月宣布开始批量生产第二代8GB高带宽HBM2产品，每个引脚提供2.4Gbps数据传输速度。三星新一代的HBM2E每个引脚提供3.2Gbps数据传输速度，比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每个芯片密度为16Gb，是上一代产品的两倍。据此，1024位总线的Flashbolt封装，可以在8-Hi堆栈配置中提供高达410GB/s的带宽和16GB的容量。
三星通过不断的创新和改进，单个HBM2E封装芯片将提供410GBps的数据带宽和16GB容量。