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　英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)近日参加在上海世博展览馆举办的2019年上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2019)及相关论坛会议。

　　此次，英飞凌以“我们赋能世界”(We Power the World)为主题，在2号馆的F01展台展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产品和技术，主要涵盖发电和输配电、工业和大数据、电力牵引及电动车辆和电力推进、智能高能效家居四大领域。此外，英飞凌的多位技术专家还在大会会议、以及展会同期举办的电力电子应用技术论坛和电动交通论坛中发表了演讲，与参会者就新产品技术应用进行探讨交流。

　· 新一代更高效芯片技术IGBT7

　　IGBT7将成为电机驱动应用的主流技术，导通损耗与上一代技术IGBT4相比减小20%，且结合工业电机驱动的应用需求进行了芯片开关损耗的优化设计，可实现更高功率密度，同时兼顾芯片的软特性。此外，过载条件下将芯片允许的最高工作结温提升至175℃，同等封装下输出电流能力可提升40%，满足客户提高功率密度、降低系统成本的应用需求。首批推出的IGBT7系列产品涵盖Easy与Econo两种封装，电流等级从10A到200A不等。同时英飞凌也会基于这款芯片技术推出中功率版本，首款产品是900A 1200V的EconoDUAL3，面向光伏发电、电动商用车和UPS等应用。

　　· CoolSiC MOSFET 1200V单管新产品

　　这款新产品导通电阻从30 m到350 m不等，包括7个电流等级，有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外，表面贴封装(SMD)和CoolSiC MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品，英飞凌可满足电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动、以及服务器和电信设备开关电源(SMPS)等功率转换应用对于高能效SiC解决方案持续快速增长的需求。