DMG7408SFG-7 假一罚十
日期：2020-3-20摘要：晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMG7408SFG-7
DMG7408SFG-7 假一罚十，原装进口正品现货供应，长期供货，价格优势。
产品一般信息
数据列表DMG7408SFG;
标准包装
2,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称DMG7408SFG-7DITR
DMG7408SFG7
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）23 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）17nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）478.9pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）1W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerDI3333-8封装/外壳8-PowerVDFN
文档
RoHS指令信息Diodes RoHS 3 Cert
图像和媒体
产品相片PowerDI3333-8
PowerDI3333-8
数据列表DMG7408SFG;
标准包装
2,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称DMG7408SFG-7DITR DMG7408SFG7
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）23 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）17nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）478.9pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）1W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerDI3333-8封装/外壳8-PowerVDFN
文档
RoHS指令信息Diodes RoHS 3 Cert
图像和媒体
产品相片PowerDI3333-8
PowerDI3333-8