IRFTS8342TRPBF - INFINEON (英飞凌) - 晶体管-FET
日期：2021-3-16属性
参数值
制造商型号
IRFTS8342TRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
包装
Cut Tape (CT) Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流-连续漏极（Id）（25°C 时）
8.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19mOhm @ 8.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6