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APM7318KC-TRL_9962M导读

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力，所以MOS管在电动车控制器中起到非常重要的作用。

APM7313KC-TRL

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

MOS管规格书中有三个寄生电容参数，分别是：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中，分别代表什么？是如何形成的？。

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。

功率MOSFET普通很少选用P沟道，由于空穴的迁移率比电子的迁移率低，相同的沟道尺寸，P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。 。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类，MOS管能够分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。图四类MOSFET和它们的图形符号。

UPA1870GR

图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。

当UDS加大道必定数值今后，漏极PN结发生击穿，漏电流疾速增大，曲线上翘，进入击穿区。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中，就是工作在截止区和击穿区两个区。 。饱满区（UDS>UGS-UT）在上述三个区域保卫的区域即为饱满区，也称为恒流区或放大区。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内，漏极电流近似为一个常数。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进，选用一种笔直V型槽结构。为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题，在大功率MOSFET中一般选用两种技能，一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来，前进MOSFET的载流才华。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。

而锂电池保护板的主要作用：1过充电保护， 2短路保护， 3过电流保护，4过放电保护， 5正常状态。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

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