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TAJB335K020RNJ

日期:2022-3-31类别:会员资讯 阅读:415 (来源:互联网)
公司:
深圳市百域芯科技有限公司
联系人:
郑佳妮
手机:
13043481413
电话:
0755-23616725
传真:
--
QQ:
2885648621
地址:
深圳市福田区华强北街道世纪汇都会轩4507

TAJB335K020RNJ_TAJB335K020RNJ导读

MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOS管的结构与分类,场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。


TAJB335K020RNJ_TAJB335K020RNJ


TAJC476M020RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。


TAJB335K020RNJ_TAJB335K020RNJ


TAJB225K050RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

TAJA155M035RNJ TAJA156K004RNJ TAJA156K006RNJ TAJA156K010RNJ TAJA156K016RNJ TAJA156M004RNJ TAJA156M006RNJ TAJA156M010RNJ TAJA156M016RNJ TAJA224K035RNJ 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

TAJB335K020RNJ_TAJB335K020RNJ


NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。


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