TAJB476K006RNJ
日期:2022-4-11TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。
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040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。 IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
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BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw 那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。
总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
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