TAJC226K020RNJ

TAJC226K020RNJ_TAJC226K020RNJ导读

小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。

TAJC336M020RNJ

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

TAJB335M020RNJ

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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