TK160F10N1LLXGQ
日期:2022-5-5摘要:原装正品现货
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 122 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10100 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
器件封装 TO-220SM(W)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB