TLJT227M002R1200

TLJT227M002R1200_TLJT227M002R1200导读

它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。

TAJB476M010RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

。·用作无触点开关：利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开关电源等。

TAJD156M050RNJ

。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

结构和符号 (以N沟道增强型为例) —— 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

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