2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 300 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 600 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 mW

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 3.1 ns

正向跨导 - 最小值: 200 mS

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.3 ns

系列: 2N7002

工厂包装数量: 24000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 5.5 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

宽度: 1.3 mm

零件号别名: 2N7002 H6327 SP000929182

单位重量: 8 mg