NP50P04SDG-E1-AY

制造商: Renesas Electronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 1.2 W

通道模式: Enhancement

商标: Renesas Electronics

配置: Single

下降时间: 180 ns

高度: 2.65 mm

长度: 6.5 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 13 ns

包装数量：2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 405 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

宽度: 6.1 mm

单位重量: 330 mg