BSG0811ND

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 5

商标: Infineon Technologies

配置: Dual

下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns

正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S

高度: 1.15 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns

包装数量：5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns

宽度: 5 mm

零件号别名: SP001075902 BSG0811NDATMA1

单位重量: 230 mg