bychip可替代AP2307GN

bychip可替代AP2307GN导读

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

MOS管原理本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。了解MOS管的工作原理，能够让我们能更好的运用MOS管，而不是死记怎么用。

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3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

电流ID为0，管子不工作。夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。

以P型半导体为衬底，在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上，通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。

AO6601

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。

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