bychip可替代APM2701AC

bychip可替代APM2701AC导读

MOS管分类按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零； 耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。什么是场效应管？场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

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电流ID为0，管子不工作。夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。

（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。 PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。PMOS价格贵，厂商少，型号少。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。

VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。 注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。

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这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。

2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。

正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。

?场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

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