STL7DN6LF3
日期：2023-11-27类别 | ||
制造商 | STMicroelectronics | |
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 43 毫欧 @ 3A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 432pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 52W | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | |
供应商器件封装 | PowerFlat?（5x6） | |
基本产品编号 |