2N7002DW-7-F

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 70 V

Id-连续漏极电流: 230 mA

Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 400 mW

通道模式: Enhancement

系列: 2N7002DW

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Diodes Incorporated

配置: Dual

正向跨导 - 最小值: 80 mS