XC3S1500-4FGG676C? 显易keji 张小姐：010-51986955
日期：2013-5-7XC3S1500-4FGG676C
从代工角度看，2013年4月3日ARM与TSMC共同宣布采用16nm FinFET工艺技术完成首个Cortex-A57处理器流片。
此外，ARM也已携手格罗方德开发20nm及FinFET工艺的SoC。
根据格罗方德公布的最新工艺路线图，虽然目前主力制程为28nm，已成功打入高通和联发科，眼下20nm制程处于客户认证阶段，尽管外界认为它将跳过20nm制程，直接做14nm制程，但格罗方德表示其20nm制程已有量产能力，未来会根据客户需求，提供20nm平面电晶体制程，或14nm 3D FinFET制程。
更进一步的制程规划是格罗方德的3D FinFET技术，将在2014年下半年量产，2016年进入10nm制程，采用triple-patterning技术曝光3次，再下一代技术是7nm制程。
因此从半导体工艺制程看，之前的平面工艺几乎已走到尽头，在EUV光刻尚未到来之前，3D FinFET工艺可能成为半导体工艺制程的决战利器。
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