IPB048N06LG,分立式导体产品,深圳市宏世佳电子现货销售
日期:2013-10-16进口原装,公司现货。
参数:
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 100A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.4 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 270µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 225nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7600pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
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