IRS2181 IRS2181STRPBF 全新原装晶体管 IRS2181STRPBF电桥驱动器 高速功率MOSFET

型号：IRS2181STRPBF

品牌：IR

类别：集成电路 (IC)

家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

系列：-

配置：高端和低端，独立

输入类型：非反相

延迟时间：180ns

电流 - 峰：1.9A

配置数：1

输出数：2

高端电压 - 最大（自引导启动）：600V

电源电压：10 V ~ 20 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)

其它名称：IRS2181STRPBFTR

标准包装：2,500

封装：SOP-8

数量：98600

单价：面议

描述：IRS2181 / IRS21814高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技吉斯使坚固耐用的单片建设。逻辑输入的COM兼容与标准CMOS或LSTTL输出，下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮置沟道，可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置其工作频率高达600 V。

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，授权分销，大量原装库存，现货热卖IRS2181 IRS2181STRPBF，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点：

•设计为引导操作浮动通道

•充分运作，以+600 V

•耐负瞬态电压的dV / dt免疫的

•栅极驱动电压范围为10 V至20 V

•欠压锁定两个通道

•3.3 V和5 V输入逻辑兼容

•匹配的传播延迟为两个通道

•逻辑和电源地+/- 5 V偏置

•较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器

•输出源出/吸入电流能力1.4 A / 1.8 A

•符合RoHS