STW26NM60N
日期:2017-3-16【型号】: STW26NM60N
【封装】: TO-247
【品牌】: ST
【包装】: 30
【品质】:百分百全新原厂原装正品
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STW26NM60N 参数规格PDF:
FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 21A(Tc) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 54.6nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1817pF @ 100V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 175 毫欧 @ 10.5A,10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247 |
更多型号:M24128-BWDW6TP M24512-RMN6TP M24512-WMW6TG M24C02-WBN6P M24C02-WDW6TP M24C64-RDW6TP M24C64-WDW6TP M24C64-WMN6TP M41T0M6F M41T81SM6F M48Z08-100PC1 M4T28-BR12SH1 M4T32-BR12SH6 M93C56-WMN6TP M93C66-WDW6TP M93C86-WMN6TP M95320-WMN6TP M95512-RDW6TP
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