供应：FCD900N60Z

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 4.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 2 W

商标名: SuperFET II

高度: 2.39 mm  

长度: 6.73 mm  

产品: MOSFET  

系列: FCD900N60Z  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 最小值: 4.6 S  

下降时间: 11.9 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5.2 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 33.6 ns  

典型接通延迟时间: 10.9 ns  

单位重量: 260.370 mg