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维安中低压功率MOS管WMT05N12TS 20V-250V沟槽N沟道功率MOSFET
上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理）廖雪花：电话13670166496 QQ1046342124微信：13670166496（广东办事处）地址：深圳市龙华区民治布龙路荔苑大厦B座1005室长园微安一家国内上市公司，拥有英飞凌的技术，散热好，内阻低，温升好，性价比高的一款国内最具影响力的MOS原厂1.通态阻抗小，通态损耗小。由于SJ-MOS的Rdson远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较...
日期：2023-11-29阅读：804 -
WMT04N10TS长园维安中低压MOS管20V-250V沟槽N沟道功率MOSFET
沟槽MOSFET: 关键特征 高单元密度设计 小型化封装的理想选择 嵌入式G-S ESD保护 电压范围:12V-200V SGT MOSFET 关键特征 先进的屏蔽栅极沟槽技术 超低栅极电荷 高功率集成 电压范围:30V-250V产品众多、现货充足是我们的优势之一，无论是跨国企业还是国内厂家，都能得到我们迅速、可靠和专业的服务。【承诺】：本公司商品是100%原厂正品，环保产品!量多更加优惠！！！廖小姐:1...
日期：2023-11-29阅读：805 -
维安功率MOS管12V-100V沟槽P沟道功率MOSFE TWMS13P04T1
上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理）廖雪花：电话13670166496 QQ1046342124微信：13670166496（广东办事处）地址：深圳市龙华区民治布龙路荔苑大厦B座1005室长园微安一家国内上市公司，拥有英飞凌的技术，散热好，内阻低，温升好，性价比高的一款国内最具影响力的MOS原厂1.通态阻抗小，通态损耗小。由于SJ-MOS的Rdson远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较...
日期：2023-11-29阅读：803 -
维安功率MOS管12V-100V沟槽P沟道功率MOSFETWMS12P03T1
沟槽MOSFET: 关键特征 高单元密度设计 小型化封装的理想选择 嵌入式G-S ESD保护 电压范围:12V-200V SGT MOSFET 关键特征 先进的屏蔽栅极沟槽技术 超低栅极电荷 高功率集成 电压范围:30V-250V产品众多、现货充足是我们的优势之一，无论是跨国企业还是国内厂家，都能得到我们迅速、可靠和专业的服务。【承诺】：本公司商品是100%原厂正品，环保产品!量多更加优惠！！！型号众多 ...
日期：2023-11-29阅读：792 -
高压场效应晶体管N沟道MOSFET
本文将从产品详情、基本结构、技术优点、工作原理、参数规格、市场应用和解决方案等多个方面对fqa24n60进行详细解析，帮助读者全面了解该产品。一、产品详情是一种n沟道mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）晶体管。采用封装形式为to-3p，具有高电压和高电流承受能力，能够在高功率应用中起到关键作用。二、基本结构fqa24n60的基本结构包括源极（source）、漏...
日期：2023-10-27阅读：578 -
晶体管 NXP原装正品 BUK9K6R8-40EX 车规级MOS管 2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
概述LFPAK56D（双电源-SO8）封装中的双逻辑电平N沟道MOSFET，使用TrenchMOS技术。该产品已设计并符合AEC Q101高性能汽车应用标准特点和优点双MOSFET?Q101符合要求?重复雪崩额定值?由于额定温度为175°C，适用于要求高温的环境?在175°C时VGS（th）额定值大于0.5 V的真逻辑电平门应用程序12 V汽车系统?电机、灯具和电磁阀控制?变速箱控制?超高性能电源切换
日期：2023-8-21阅读：1101 -
CSD18535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
超低 Qg和 Qgd低热阻雪崩级无铅引脚镀层符合 RoHS 环保标准无卤素D2PAK 塑料封装应用次级侧同步整流器电机控制
日期：2023-8-6阅读：1014 -
BQ76200PWR 高侧 N 沟道 FET 驱动器
CHG 和 DSG 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 场效应晶体管 (FET) 驱动器，可控制电池保护快速 FET 导通和关断次数预充电 P 沟道场效应晶体管 (PFET) 驱动器（用于为显著耗尽的电池组进行限流预充电）独立的数字使能充/放电控制所需外部组件最少基于可扩展外部电容的电荷泵，适用于不同范围内的并行 FET耐受高压（绝对最高电压为 100V）使能电池组电压感测的内部开关支持通用和独立的充/放电路径配置设计为直接与...
日期：2023-8-6阅读：989 -
2N7002ET1G N沟道 60V 260mA N 沟道小信号 MOSFET 60V，310mA，2.5 Ω 场效应管(MOSFET
产品种类:MOSFETRoHS:是封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:310 mARds On-漏源导通电阻:2.5 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:1 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:...
日期：2023-6-27阅读：362 -
CSD15571Q2 N沟道 20V 22A 场效应管(MOSFET
地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101主营集成芯片二三极管，专业工厂配单配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料，深圳市亚泰盈科电子有限公司本着“客...
日期：2023-6-20阅读：332 -
FCPF125N65S3 N沟道 650V 24A 功率 MOSFET125 mΩ 场效应管(MOSFET
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日期：2023-6-14阅读：344 -
AO3418场效应管 N沟道 30V 3.8A
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日期：2023-6-7阅读：257 -
2023年5月31日，中国——意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻
新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为4.6mΩ（在VGS=10V时），高效运行频率达到600kHz。STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰，最大程度地减少充放电能量浪费。此外，这款MOSFET的体漏二极管的软度特性更高。这些改进之处可...
日期：2023-5-31阅读：254 -
SQJ464EP-T1_GE3汽车N沟道60 V（D-S）175°C MOSFET
SQJ464EP-T1_GE3汽车N沟道60 V（D-S）175°C MOSFETManufacturer: VishayProduct type: MOSFETRoHS: DetailsTechnology: SiInstallation style: SMD/SMTPackage/Box: PowerPAK-SO-8-4Transistor polarity: N-ChannelNumber of channels: 1 Chann...
日期：2023-5-29阅读：256 -
NCEP12T12D 新洁能 N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述NCEP12T12D采用超级沟槽技术经过独特优化，可提供最高效的频率切换性能。传导和由于RDS（ON）和Qg的低组合。此设备非常适合高频开关和同步整流。一般功能VDS=120V，ID=129ARDS（开启）<5.3米? @ VGS=10伏优秀的栅极电荷x RDS（开）产品接通电阻极低RDS（接通）175°C工作温度无铅铅镀层100%UIS测试应用DC/DC转换器非常适合高频开关和同步整改绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说...
日期：2023-5-11阅读：1063 -
ST原装正品 STW9N150 晶体管 N沟道 MOS管
描述使用整合良好的高压MESH覆盖? STMicroelectronics拥有设计了一个先进的功率MOSFET系列表现出色。加强的布局与公司专有边缘终端结构，提供最低每个区域的RDS（开启），无与伦比的栅极充电和开关特性。类别分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商STMicroelectronics系列PowerMESH?包装管件FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）150...
日期：2023-5-8阅读：995 -
UT3404G UTC/友顺 N沟道 30V 5.8A 场效应管(MOSFET)
UT3404G UTC/友顺 N沟道 30V 5.8A 场效应管(MOSFET)UT3404是n沟道增强型功率MOSFET,高密度细胞设计,开关速度快,低导通电阻、优异的热、电栅电压较低的功能和操作。 奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管 OWEIS奥伟斯触...
日期：2023-4-4阅读：718 -
UF640L UTC/友顺 N沟道 200V 18A场效应管(MOSFET)
UF640L UTC/友顺 N沟道 200V 18A场效应管(MOSFET)描述这些n沟道MOSFET功率场效应晶体管传导功率损耗较低,高输入阻抗、高开关速度、线性传输特性,所以可以使用各种能量变换的应用程序。UF640适合共振和PWM变换器拓扑。特点：* RDS() < 0.18?@ vg = 10 v, ID = 10 *超低闸极电荷(典型的43 nc) *反向传输电容低(crs =典型100 pF)&nb...
日期：2023-4-3阅读：725 -
4N65KL UTC/友顺 N沟道 650V 4A 场效应管(MOSFET)
4N65KL UTC/友顺 N沟道 650V 4A 场效应管(MOSFET)UTC 4n65k-ta高电压功率MOSFET是为了有更好的特性,如快速开关时间,低栅电荷,低开态阻力和崎岖的雪崩特性高。这个功率MOSFET通常是用于高速开关应用包括电源、PWM电机控制,高效直流对直流转换器和桥电路。特点：* RDS() < 2.8?@ vg = 10 V, ID = 2.2 *快速交换能力*雪崩能量指...
日期：2023-3-16阅读：750 -
2N7002G UTC/友顺 N沟道 60V 300mA场效应管(MOSFET)
2N7002G UTC/友顺 N沟道 60V 300mA场效应管(MOSFET)UTC 2N7002采用先进的技术为优秀RDS（开启），低栅极电荷和低栅极操作电压。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用程序。特点：*适用于低R的高密度电池设计DS（开启）*压控小信号开关*坚固可靠*高饱和电流能力 深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运...
日期：2023-3-14阅读：595