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| 型号: | NAND256R4M3AZB5E |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149 |
| 针数： | 149 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.17 |
| 其他特性： | LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B149 |
| 长度： | 13.5 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 |
| 混合内存类型： | FLASH+SDRAM |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 149 |
| 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 16MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA149,12X16,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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