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  • NGTB10B60R2DT4G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • NGTB10B60R2DT4G
  • 数量18800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
配单直通车
NGTB10N60FG产品参数
型号:NGTB10N60FG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
制造商包装代码:221AM
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:2.06
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:600 V
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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