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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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NLAS6233MUTBG产品参数
型号:NLAS6233MUTBG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:QFN
包装说明:1.40 X 1.80 MM, 0.40 MM PITCH, LEAD FREE, UQFN-10
针数:10
制造商包装代码:488AT
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:DPDT
JESD-30 代码:R-XQCC-N10
JESD-609代码:e4
长度:1.8 mm
信道数量:2
功能数量:2
端子数量:10
标称断态隔离度:70 dB
通态电阻匹配规范:0.19 Ω
最大通态电阻 (Ron):0.55 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出:SEPARATE OUTPUT
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:VQCCN
封装等效代码:LCC10,.06X.07,16
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.6 mm
子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):4.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):4.2 V
表面贴装:YES
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.4 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:1.4 mm
Base Number Matches:1
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