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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • HECC GROUP CO.，LIMITED

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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 深圳市勤思达科技有限公司

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    • 封装 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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    • 批号▊ NEW ▊ 
    • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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    • 上海如美电子科技有限公司

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    • 普通
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    产品型号QM20DX-H的概述

    芯片QM20DX-H的概述 QM20DX-H是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛用于电力电子领域，尤其是在变频器、伺服驱动器和其他工业自动化应用中。该芯片设计旨在满足高效率、高可靠性的需求，支持高电压和高电流的工作条件。QM20DX-H以其突出的热管理性能和电气特性，赢得了业界的广泛认可。 芯片QM20DX-H的详细参数 QM20DX-H的主要参数包括： - 集电极-发射极电压（V_CE）：1200V - 持续集电极电流（I_C）：20A - 脉冲集电极电流（I_CM）：40A - 峰值反向电压（V_R）：最大为1200V - 开关损耗（E_on/E_off）：较低的开关损耗，有利于提升效率 - 导通电阻（R_on）：优化的导通特性，保证低功耗 - 工作温度范围（T_j）：-40°C到150°C，适合恶劣环境条件下使用 这一系列参数使得QM20DX-H适用于高频和高温...

    产品型号QM20DX-H的Datasheet PDF文件预览

    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM20DX-H  
    MEDIUM POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    QM20DX-H  
    • IC  
    Collector current .......................... 20A  
    • VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V  
    • hFE DC current gain...............................75  
    • Insulated Type  
    • UL Recognized  
    Yellow Card No. E80276 (N)  
    File No. E80271  
    APPLICATION  
    Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders  
    OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
    Dimensions in mm  
    70  
    C1  
    E1C2  
    E1  
    E2  
    E2  
    C1  
    E1C2  
    E1  
    E2  
    E2  
    B1  
    B2  
    60  
    φ5.5  
    Tab#110, t=0.5  
    φ1.2  
    Tr1  
    Tr2  
    B2  
    B1  
    φ1.7  
    8
    8
    8
    8
    6.35 2.8  
    Tab#250,  
    t=0.8  
    LABEL  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM20DX-H  
    MEDIUM POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tj=25°C, unless otherwise noted)  
    Symbol  
    VCEX (SUS)  
    VCEX  
    VCBO  
    VEBO  
    IC  
    Parameter  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-base voltage  
    Emitter-base voltage  
    Collector current  
    Conditions  
    Ratings  
    600  
    600  
    600  
    7
    Unit  
    V
    IC=1A, VEB=2V  
    VEB=2V  
    V
    Emitter open  
    Collector open  
    DC  
    V
    V
    20  
    A
    –IC  
    Collector reverse current  
    Collector dissipation  
    Base current  
    DC (forward diode current)  
    TC=25°C  
    20  
    A
    PC  
    160  
    1
    W
    A
    IB  
    DC  
    Surge collector reverse current  
    (forward diode current)  
    –ICSM  
    Peak value of one cycle of 60Hz (half wave)  
    200  
    A
    Tj  
    Junction temperature  
    Storage temperature  
    Isolation voltage  
    –40~+150  
    –40~+125  
    2500  
    °C  
    °C  
    Tstg  
    Viso  
    Charged part to case, AC for 1 minute  
    Mounting screw M5  
    V
    1.47~1.96  
    15~20  
    N·m  
    kg·cm  
    g
    —
    —
    Mounting torque  
    Weight  
    Typical value  
    75  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C, unless otherwise noted)  
    Limits  
    Typ.  
    —
    Symbol  
    ICEX  
    Parameter  
    Test conditions  
    Unit  
    Min.  
    —
    Max.  
    1.0  
    1.0  
    150  
    2.0  
    2.5  
    1.5  
    —
    Collector cutoff current  
    VCE=600V, VEB=2V  
    VCB=600V, Emitter open  
    VEB=7V  
    mA  
    mA  
    mA  
    V
    —
    —
    ICBO  
    Collector cutoff current  
    —
    —
    IEBO  
    Emitter cutoff current  
    —
    —
    VCE (sat)  
    VBE (sat)  
    –VCEO  
    hFE  
    Collector-emitter saturation voltage  
    Base-emitter saturation voltage  
    Collector-emitter reverse voltage  
    DC current gain  
    IC=20A, IB=0.28A  
    —
    —
    V
    —
    —
    –IC=20A (diode forward voltage)  
    IC=20A, VCE=2V/5V  
    V
    75/100  
    —
    —
    —
    —
    1.5  
    12  
    ton  
    µs  
    —
    —
    ts  
    Switching time  
    VCC=300V, IC=20A, IB1=–IB2=0.4A  
    µs  
    —
    —
    2.0  
    0.8  
    2.2  
    tf  
    µs  
    —
    —
    Rth (j-c) Q  
    Rth (j-c) R  
    Transistor part (per 1/2 module)  
    Diode part (per 1/2 module)  
    °C/W  
    °C/W  
    Thermal resistance  
    (junction to case)  
    —
    —
    Contact thermal resistance  
    (case to fin)  
    —
    —
    0.25  
    Rth (c-f)  
    Conductive grease applied (per 1/2 module)  
    °C/W  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM20DX-H  
    MEDIUM POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    PERFORMANCE CURVES  
    COMMON EMITTER OUTPUT  
    CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
    DC CURRENT GAIN VS.  
    COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)  
    103  
    7
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    T
    j
    =25°C  
    Tj  
    =25°C  
    Tj  
    =125°C  
    5
    4
    3
    2
    V
    CE=5.0V  
    I
    B
    =0.4A  
    I
    I
    B
    B
    =0.2A  
    =0.1A  
    VCE=2.0V  
    102  
    7
    5
    4
    I
    I
    B
    B
    =0.06A  
    3
    2
    =0.02A  
    4 5  
    101  
    100  
    2
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    0
    1
    2
    3
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    COMMON EMITTER INPUT  
    CHARACTERISTIC (TYPICAL)  
    SATURATION VOLTAGE  
    CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
    1
    101  
    10  
    7
    7
    V
    CE=2.0V  
    T
    j=25°C  
    5
    5
    4
    4
    3
    2
    3
    2
    V
    BE(sat)  
    100  
    7
    100  
    7
    5
    5
    V
    CE(sat)  
    4
    4
    3
    2
    3
    2
    T
    T
    j
    =25°C  
    j=125°C  
    IB=0.28A  
    10–1  
    100  
    10–1  
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    2.4  
    2.8  
    3.2  
    2
    BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    COLLECTOR-EMITTER SATURATION  
    VOLTAGE (TYPICAL)  
    SWITCHING TIME VS. COLLECTOR  
    CURRENT (TYPICAL)  
    2
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    I
    C
    =5A  
    IC=20A  
    IC=10A  
    101  
    7
    ts  
    5
    V
    CC=300V  
    4
    I
    B1=–IB2=0.4A  
    3
    2
    100  
    7
    tf  
    t
    on  
    5
    4
    Tj=25°C  
    T
    T
    j
    j
    =25°C  
    =125°C  
    3
    2
    Tj  
    =125°C  
    –3  
    100  
    2
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    7
    2
    3 4 5 7 10–2  
    2 3 4 5 7  
    10  
    BASE CURRENT IB (A)  
    COLLECTOR CURRENT IC (A)  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM20DX-H  
    MEDIUM POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    SWITCHING TIME VS. BASE  
    CURRENT (TYPICAL)  
    REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA  
    50  
    3
    2
    t
    s
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    I
    B2=–0.5A  
    –1A  
    101  
    7
    5
    4
    Tj=125°C  
    3
    2
    tf  
    V
    CC=300V  
    100  
    7
    5
    4
    3
    I
    B1=0.4A  
    IC  
    =20A  
    T
    T
    j
    =25°C  
    =125°C  
    3 4 5 710 –1  
    j
    800  
    2
    3 4 5 7 100  
    2 3  
    0
    200  
    400  
    600  
    BASE REVERSE CURRENT –IB2 (A)  
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA  
    DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.  
    102  
    7
    100  
    T
    C
    =25°C  
    SECOND  
    BREAKDOWN  
    AREA  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    NON–REPETITIVE  
    5
    4
    3
    2
    101  
    7
    COLLECTOR  
    DISSIPATION  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    5
    4
    3
    2
    100  
    101  
    2
    3 4 5 7 102  
    2
    3 4 5 7 103  
    0
    20 40 60 80 100 120 140 160  
    COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
    CASE TEMPERATURE TC (°C)  
    REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.  
    COLLECTOR-EMITTER REVERSE  
    VOLTAGE (DIODE FORWARD  
    TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
    CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)  
    101  
    102  
    2 3 457  
    100  
    CHARACTERISTICS) (TYPICAL)  
    2 3 45 7  
    102  
    7
    1.0  
    5
    0.8  
    4
    3
    2
    0.6  
    0.4  
    101  
    7
    5
    4
    3
    2
    0.2  
    0
    T
    T
    j
    j
    =25°C  
    =125°C  
    100  
    10 –3  
    10 –2  
    10 –1  
    100  
    2 3 4 5 7  
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    2.4  
    2 3 45 7  
    2 3 4 5 7  
    TIME (s)  
    COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE  
    –VCEO (V)  
    Feb.1999  
    MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
    QM20DX-H  
    MEDIUM POWER SWITCHING USE  
    INSULATED TYPE  
    RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT  
    (DIODE FORWARD SURGE CURRENT)  
    REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS  
    OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)  
    101  
    100  
    10 –1  
    102  
    7
    200  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    V
    CC=300V  
    I
    B1=–IB2=0.4A  
    5
    4
    T
    j
    =25°C  
    3
    2
    T
    j
    =125°C  
    I
    rr  
    101  
    7
    5
    60  
    4
    Q
    rr  
    trr  
    3
    2
    40  
    20  
    0
    100  
    2
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    100  
    100  
    2
    3 4 5 7 101  
    2
    3 4 5 7 102  
    CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)  
    FORWARD CURRENT IF (A)  
    TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE  
    CHARACTERISTIC (DIODE )  
    100  
    101  
    2 3 45 7  
    2 3 45 7  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    0
    10 –3 2 3 45 710 –22 345 710 –12 3  
    7 100  
    45  
    TIME (s)  
    Feb.1999  
    配单直通车
    QM20DX-H产品参数
    型号:QM20DX-H
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-D7
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.82
    最大集电极电流 (IC)：20 A
    配置：COMPLEX
    最小直流电流增益 (hFE)：75
    最大降落时间（tf）：2000 ns
    JESD-30 代码：R-PUFM-D7
    元件数量：2
    端子数量：7
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    极性/信道类型：NPN
    最大功率耗散 (Abs)：160 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：BIP General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子形式：SOLDER LUG
    端子位置：UPPER
    晶体管元件材料：SILICON
    VCEsat-Max：2 V
    Base Number Matches：1
    •  
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